NVMFWS1D3N04XMT1G

Name: onsemi NVMFWS1D3N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-VMFWS1D3N04XMT1G
Price: 3372 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

863-VMFWS1D3N04XMT1G

제조업체 번호:

NVMFWS1D3N04XMT1G

제조업체:

onsemi

설명:

MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE

라이프사이클:

신제품:

이 제조업체의 새로운 제품입니다.

데이터시트:

NVMFWS1D3N04XMT1G 데이터시트

ECAD 모델:

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단가:

₩-

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가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩3,372.6	₩3,373
	₩2,160.8	₩21,608
	₩1,474.6	₩147,460
	₩1,220.6	₩610,300
	₩1,130	₩1,130,000
전체 릴(1500의 배수로 주문)
	₩992.8	₩1,489,200

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	onsemi
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	DFNW-5
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	40 V
Id - 연속 드레인 전류:	195 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	1.3 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	3.5 V
Qg - 게이트 전하:	38.6 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	90 W
채널 모드:	Enhancement
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
브랜드:	onsemi
구성:	Single
하강 시간:	5.2 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	105 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	6.2 ns
시리즈:	NVMFWS1D3N04XM
팩토리 팩 수량:	1500
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	30.4 ns
표준 턴-온 지연 시간:	19.1 ns

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

NVMFWS1D3N04XMT1G 데이터시트

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

단일 N-채널 전력 MOSFET

onsemi 단일 N-채널 전력 MOSFET은 작은 설치 면적의 컴팩트하고 효율적인 설계를 위해 설계되었습니다. 이러한 전력 MOSFET은 낮은 RDS_(ON), 낮은 QG 및 정전용량를 특징으로 하며 전도 및 드라이버 손실을 최소화합니다. 이러한 MOSFET은 40V, 60V, 80V 드레인-소스 전압 및 ±20V 게이트-소스 전압에서 사용할 수 있습니다. onsemi 단일 N-채널 전력 MOSFET은 무연이며 RoHS를 준수합니다.