NVMFWS0D63N04XMT1G

onsemi
863-MFWS0D63N04XMT1G
NVMFWS0D63N04XMT1G

제조업체:

설명:
MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE

라이프사이클:
신제품:
이 제조업체의 새로운 제품입니다.
데이터시트:
ECAD 모델:
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추가 정보
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재고 상태: 276

재고:
276
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주문 중:
1,500
예상 2026-05-08
공장 리드 타임:
52
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최소: 1   배수: 1
단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:

가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩5,445.8 ₩5,446
₩3,547.8 ₩35,478
₩2,788.6 ₩278,860
₩2,336 ₩1,168,000
₩2,000.2 ₩2,000,200
전체 릴(1500의 배수로 주문)
₩2,000.2 ₩3,000,300

제품 속성 속성 값 속성 선택
onsemi
제품 카테고리: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFNW-5
N-Channel
1 Channel
40 V
384 A
600 uOhms
20 V
3.5 V
92.2 nC
- 55 C
+ 175 C
157 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
브랜드: onsemi
구성: Single
하강 시간: 7.3 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소: 174 S
제품 유형: MOSFETs
상승 시간: 9 ns
시리즈: NVMFWS0D63N04XM
팩토리 팩 수량: 1500
하위 범주: Transistors
트랜지스터 타입: 1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간: 47 ns
표준 턴-온 지연 시간: 28 ns
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

데이터시트

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

단일 N-채널 전력 MOSFET

onsemi 단일 N-채널 전력 MOSFET은 작은 설치 면적의 컴팩트하고 효율적인 설계를 위해 설계되었습니다. 이러한 전력 MOSFET은 낮은 RDS(ON), 낮은 QG 및 정전용량를 특징으로 하며 전도 및 드라이버 손실을 최소화합니다. 이러한 MOSFET은 40V, 60V, 80V 드레인-소스 전압 및 ±20V 게이트-소스 전압에서 사용할 수 있습니다. onsemi 단일 N-채널 전력 MOSFET은 무연이며 RoHS를 준수합니다.

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