NVMFS6H801NT1G

onsemi
863-NVMFS6H801NT1G
NVMFS6H801NT1G

제조업체:

설명:
MOSFET TRENCH 8 80V NFET

ECAD 모델:
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재고 상태: 13,717

재고:
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단가:
₩-
합계:
₩-
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포장:
전체 릴(1500의 배수로 주문)

가격 (KRW)

수량 단가
합계
컷 테이프/MouseReel™
₩4,526 ₩4,526
₩3,314.2 ₩33,142
₩2,321.4 ₩232,140
₩2,014.8 ₩1,007,400
₩1,839.6 ₩1,839,600
전체 릴(1500의 배수로 주문)
₩1,664.4 ₩2,496,600
₩1,620.6 ₩4,861,800
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제품 속성 속성 값 속성 선택
onsemi
제품 카테고리: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SO-8FL-4
N-Channel
1 Channel
80 V
157 A
2.8 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
64 nC
- 55 C
+ 175 C
166 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
브랜드: onsemi
구성: Single
하강 시간: 19 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소: 128 S
제품 유형: MOSFETs
상승 시간: 74 ns
시리즈: NVMFS6H801N
팩토리 팩 수량: 1500
하위 범주: Transistors
표준 턴-오프 지연 시간: 70 ns
표준 턴-온 지연 시간: 25 ns
단위 중량: 750 mg
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

NVMFS6H8x 전력 MOSFET

onsemi NVMFS6H8x 전력 MOSFET는 소형 디자인을 위해 80V, 단일 N채널 및 소형 풋 프린트를 제공합니다. 이 전력 MOSFET은 2.1mΩ, 2.8mΩ 및 3.7mΩ 저항 범위로 제공됩니다. 전도 손실을 최소화하는 낮은 RDS(on) 및 낮은 QG 및 낮은 정전용량이 특징입니다. NVMFS6H8x 전력 MOSFET는 RoHS 규격을 준수하며 AEC-Q101 인증을 획득했습니다. 이 전력 MOSFET는 -55°C~175°C의 작동 온도 범위에서 작동합니다.

Trench8 MOSFET

Onsemi Trench8 MOSFET은 전력 변환 애플리케이션에 사용되는 MOSFET의 핵심 성능 지수(FOM)에 대해 낮은 최대 ON 저항 (RDS(ON), 매우 낮은 게이트 전하 (Qg), 낮은 (Qg) x RDS(ON) 값을 갖추고 있습니다. T6 기술을 기반으로 스위칭 성능을 최적화한 Trench8 MOSFET은 Trench6 시리즈보다 Qg 및 Qoss 를 35%~40% 감소시킵니다. Onsemi Trench8 MOSFET은 설계 유연성을 위해 다양한 패키지 타입으로 제공됩니다. AEC-Q101 인증 및 PPAP 지원 옵션은 자동차 애플리케이션에 사용할 수 있습니다. 이 장치는 AOI(자동 광학 검사)를 가능하게 하는 플랭크 습식 패키지로 제공됩니다.