NTMYS011N04CTWG

Name: onsemi NTMYS011N04CTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMYS011N04CTWG
Price: 3034 KRW
Availability: InStock

이미지는 참조용으로만 사용하십시오
제품 사양을 참조하세요

Mouser 번호:

863-NTMYS011N04CTWG

제조업체 번호:

NTMYS011N04CTWG

제조업체:

onsemi

설명:

MOSFET 40V 12 mOhm 35A Single N-Channel

데이터시트:

NTMYS011N04CTWG 데이터시트

ECAD 모델:

무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기

추가 정보

onsemi NTMYS011N04CTWG에 대해 자세히 알아보십시오.

재고 상태: 1,109

재고:: 1,109 즉시 배송 가능

예기치 않은 오류가 발생했습니다. 나중에 다시 시도하십시오.
공장 리드 타임:: 37 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

1109을(를) 초과하는 수량에 대해서는 최소 주문 요구사항이 적용됩니다.

이 제품은 리드 타임이 깁니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(3000의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩3,034	₩3,034
	₩2,220	₩22,200
	₩1,475.6	₩147,560
	₩1,209.2	₩604,600
	₩1,058.2	₩1,058,200
전체 릴(3000의 배수로 주문)
	₩836.2	₩2,508,600

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	onsemi
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	LFPAK-4
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	40 V
Id - 연속 드레인 전류:	35 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	12 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	3.5 V
Qg - 게이트 전하:	7.9 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	28 W
채널 모드:	Enhancement
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	onsemi
구성:	Single
COA(최종 조립 국가):	Not Available
COD(확산 공정 국가):	Not Available
COO(원산지):	PH
하강 시간:	5 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	111 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	16 ns
시리즈:	NTMYS011N04C
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	16 ns
표준 턴-온 지연 시간:	8 ns
단위 중량:	75 mg

제품을 찾음:

유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

NTMYS011N04CTWG 데이터시트

PCN

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

LFPAK4 산업용 전력 MOSFET

onsemi LFPAK4 산업용 전력 MOSFET은 5mm x 6mm의 작은 설치 공간을 가진 단일 N-채널 MOSFET으로, 콤팩트한 설계에 이상적입니다. 이런 장치는 전도 손실 최소화를 위한 낮은 드레인-소스 온 저항과 드라이버 손실 최소화를 위한 낮은 게이트 전하 및 정전용량이 특징입니다. 이런 산업용 등급 전력 MOSFET은 무연 및 RoHS 규격을 준수하며 -55~+175°C의 폭넓은 작동 온도 범위가 특징입니다.

Trench6 N-채널 MV MOSFET

onsemi Trench6 N-채널 MV MOSFET은 차폐식 게이트 기술을 통합하고 있는 고급 전력 트렌치 프로세스를 사용하여 생산된 30V, 40V 및 60V MOSFET입니다. 이 프로세스는 ON 상태 저항을 최소화하되, 동급 최고의 소프트 바디 다이오드로 우수한 스위칭 성능을 유지하도록 최적화되었습니다.