NTMFS7D5N15MC

Name: onsemi NTMFS7D5N15MC
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS7D5N15MC
Price: 7475 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

863-NTMFS7D5N15MC

제조업체 번호:

NTMFS7D5N15MC

제조업체:

onsemi

설명:

MOSFET PTNG 150V 7.4MOHM POWERCLIP56

데이터시트:

NTMFS7D5N15MC 데이터시트

ECAD 모델:

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	₩3,547.8	₩1,773,900
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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	onsemi
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	PQFN-8
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	150 V
Id - 연속 드레인 전류:	95.6 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	7.9 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	4.5 V
Qg - 게이트 전하:	46 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	166.7 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	PowerTrench
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
브랜드:	onsemi
구성:	Single
하강 시간:	5 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	91 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	6 ns
시리즈:	NTMFS7D5N15MC
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	32 ns
표준 턴-온 지연 시간:	27 ns

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문서 필터:

데이터시트

NTMFS7D5N15MC 데이터시트

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

차폐식 게이트 PowerTrench® MOSFET

Onsemi 차폐식 게이트 PowerTrench® MOSFET은 온 상태 저항을 최소화하고 동급 최고의 소프트 바디 다이오드로 우수한 스위칭 성능을 유지하는 N-채널 MOSFET입니다. 이 MOSFET은 다른 MOSFET에 비해 낮은 Q_rr 을 제공합니다. Onsemi 차폐식 게이트 PowerTrench MOSFET은 스위칭 잡음/전자기 간섭(EMI)을 낮춥니다. 이 MOSFET은 전도 손실 최소화를 위한 저 R_DS(온) 와 드라이버 손실 최소화를 위한 저Q_G 및 정전용량이 특징입니다. 차폐식 게이트 PowerTrench MOSFET은 콤팩트한 설계를 위해 크기가 5mm x 6mm인 소형 PQFN8 패키지로 제공됩니다. 일반적으로 SR (동기식 정류), AC-DC 및 DC-DC 전원 공급 장치, AC-DC 어댑터 (USB 파워 딜리버리) SR 및 로드 스위치에 사용됩니다.

에너지 저장 솔루션

onsemi 에너지 저장 시스템(ESS)은 석탄, 원자력, 풍력, 태양광 등 다양한 발전원에서 생산된 전기를 배터리(전기화학), 압축 공기(기계), 용융 염(열) 등 다양한 형태로 저장합니다. 이 솔루션은 태양광 인버터 시스템에 연결된 배터리 에너지 저장 시스템에 중점을 둡니다.

NTMFS7D5N15MC 차폐식 게이트 PowerTrench® MOSFET

onsemi NTMFS7D5N15MC N채널 차폐 게이트 PowerTrench® MOSFET은 차폐 게이트 기술을 통합한 고급 파워트렌치 공정을 사용하여 생산되는 제품입니다. 이 프로세스는 동급 최고의 소프트 바디 다이오드를 사용하여 온 상태 저항을 최소화하면서도 우수한 스위칭 성능을 유지하도록 최적화되었습니다. onsemi NTMFS7D5N15MC는 스위칭 노이즈, EMI, 정전용량(드라이버 손실 최소화), RDS_(on)(전도 손실 최소화)를 낮춥니다.