NTMFS6D2N08XT1G

Name: onsemi NTMFS6D2N08XT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS6D2N08XT1G
Price: 2131 KRW
Availability: OutOfStock

이미지는 참조용으로만 사용하십시오
제품 사양을 참조하세요

Mouser 번호:

863-NTMFS6D2N08XT1G

제조업체 번호:

NTMFS6D2N08XT1G

제조업체:

onsemi

설명:

MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

라이프사이클:

신제품:

이 제조업체의 새로운 제품입니다.

데이터시트:

NTMFS6D2N08XT1G 데이터시트

ECAD 모델:

무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기

추가 정보

onsemi NTMFS6D2N08XT1G에 대해 자세히 알아보십시오.

구매 가능 정보

재고:: 0

이 제품을 이월 주문으로 여전히 구매하실 수 있습니다.

예기치 않은 오류가 발생했습니다. 나중에 다시 시도하십시오.
주문 중:: 1,500

예상 2026-04-28
공장 리드 타임:: 23

주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩2,131.2	₩2,131
	₩1,348.3	₩13,483
	₩893.9	₩89,390
	₩706	₩353,000
	₩636.4	₩636,400
전체 릴(1500의 배수로 주문)
	₩583.1	₩874,650
	₩526.9	₩1,580,700
	₩509.1	₩4,581,900

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	onsemi
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	DFN-5
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	80 V
Id - 연속 드레인 전류:	73 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	6.2 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	3.6 V
Qg - 게이트 전하:	19 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	68 W
채널 모드:	Enhancement
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
브랜드:	onsemi
구성:	Single
하강 시간:	24 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	48 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	19 ns
팩토리 팩 수량:	1500
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	15 ns
표준 턴-온 지연 시간:	10 ns

제품을 찾음:

유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

NTMFS6D2N08XT1G 데이터시트

USHTS:: 8541290095
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

T10 저/중전압 MOSFET

onsemi T10 저/중전압 MOSFET은 향상된 성능, 향상된 시스템 효율성 및 높은 전력 밀도를 갖춘 단일 N-채널 전력 MOSFET(40V 및 80V 카테고리)입니다. 이 전력 MOSFET은 전도 손실을 최소화하는 낮은 RDS_(on)과 드라이버 손실을 최소화하는 낮은 커패시턴스를 특징으로 합니다. T10 저/중전압 MOSFET은 낮은 Q_RR과 소프트 리커버리 바디 다이오드를 제공합니다. 이 MOSFET은 RoHS를 준수하며 무연 및 무할로겐/BFR을 사용합니다. 일반적으로 DC-DC 및 AC-DC 컨버터의 SR(동기식 정류), 절연 DC-DC 컨버터의 일차 스위치, 배터리 보호, 모터 드라이브에 사용됩니다.