NTMFS2D3N04XMT1G

onsemi
863-NTMFS2D3N04XMT1G
NTMFS2D3N04XMT1G

제조업체:

설명:
MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE

데이터시트:
ECAD 모델:
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추가 정보
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재고 상태: 5,932

재고:
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공장 리드 타임:
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최소: 1   배수: 1
단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:

가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩2,306.8 ₩2,307
₩1,474.6 ₩14,746
₩975.3 ₩97,530
₩800.1 ₩400,050
₩699.3 ₩699,300
전체 릴(1500의 배수로 주문)
₩642.4 ₩963,600
₩591.3 ₩1,773,900
₩576.7 ₩13,840,800

제품 속성 속성 값 속성 선택
onsemi
제품 카테고리: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DFN-5
N-Channel
1 Channel
40 V
111 A
2.35 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
22.1 nC
- 55 C
+ 175 C
53 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
브랜드: onsemi
구성: Single
하강 시간: 4.69 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소: 89.2 S
제품 유형: MOSFETs
상승 시간: 5.19 ns
시리즈: NTMFS2D3N04XM
팩토리 팩 수량: 1500
하위 범주: Transistors
트랜지스터 타입: 1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간: 22.2 ns
표준 턴-온 지연 시간: 15.8 ns
제품을 찾음:
유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.
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속성 선택됨: 0

데이터시트

PCN

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

40V 전력 MOSFET

Onsemi 40 V 전력 MOSFET 표준 게이트 레벨 기술을 특징으로 하며 동급 최고의 온 저항을 자랑합니다. Onsemi MOSFET은 모터 드라이버 애플리케이션용으로 설계되었습니다. 이 장치는 낮은 온 저항과 감소된 게이트 전하로 전도 및 구동 손실을 효과적으로 최소화합니다. 또한 이 MOSFET은 바디 다이오드의 역회복을 위한 탁월한 연성 제어 기능을 제공하여 애플리케이션에서 추가 스너버 회로를 사용할 필요 없이 전압 스파이크 응력을 효과적으로 완화합니다.

PowerTrench 기술

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.

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