NTMFS1D7N04XMT1G

onsemi
863-NTMFS1D7N04XMT1G
NTMFS1D7N04XMT1G

제조업체:

설명:
MOSFET 40V T10M IN SO8FL PACKAGE

라이프사이클:
신제품:
이 제조업체의 새로운 제품입니다.
ECAD 모델:
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재고 상태: 772

재고:
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공장 리드 타임:
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최소: 1   배수: 1
단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:

가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩2,861.6 ₩2,862
₩1,810.4 ₩18,104
₩1,207.4 ₩120,740
₩989.9 ₩494,950
₩867.2 ₩867,200
전체 릴(1500의 배수로 주문)
₩795.7 ₩1,193,550
₩732.9 ₩2,198,700
₩713.9 ₩17,133,600

제품 속성 속성 값 속성 선택
onsemi
제품 카테고리: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-5
N-Channel
1 Channel
40 V
154 A
1.65 mOhms
20 V
3.5 V
29 nC
- 55 C
+ 175 C
75 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
브랜드: onsemi
구성: Single
하강 시간: 17 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소: 77 S
제품 유형: MOSFETs
상승 시간: 13 ns
팩토리 팩 수량: 1500
하위 범주: Transistors
트랜지스터 타입: 1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간: 10 ns
표준 턴-온 지연 시간: 7 ns
제품을 찾음:
유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.
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속성 선택됨: 0

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

T10 저/중전압 MOSFET

onsemi T10 저/중전압 MOSFET은 향상된 성능, 향상된 시스템 효율성 및 높은 전력 밀도를 갖춘 단일 N-채널 전력 MOSFET(40V 및 80V 카테고리)입니다. 이 전력 MOSFET은 전도 손실을 최소화하는 낮은 RDS(on)과 드라이버 손실을 최소화하는 낮은 커패시턴스를 특징으로 합니다. T10 저/중전압 MOSFET은 낮은 QRR과 소프트 리커버리 바디 다이오드를 제공합니다. 이 MOSFET은 RoHS를 준수하며 무연 및 무할로겐/BFR을 사용합니다. 일반적으로 DC-DC 및 AC-DC 컨버터의 SR(동기식 정류), 절연 DC-DC 컨버터의 일차 스위치, 배터리 보호, 모터 드라이브에 사용됩니다.