NTMFS1D3N04XMT1G

onsemi
863-NTMFS1D3N04XMT1G
NTMFS1D3N04XMT1G

제조업체:

설명:
MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE

데이터시트:
ECAD 모델:
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추가 정보
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단가:
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수량 단가
합계
₩2,856.4 ₩2,856
₩2,072 ₩20,720
₩1,417.8 ₩141,780
₩1,158.8 ₩579,400
전체 릴(1500의 배수로 주문)
₩1,083.4 ₩1,625,100

제품 속성 속성 값 속성 선택
onsemi
제품 카테고리: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DFN-5
N-Channel
1 Channel
40 V
195 A
1.3 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
38.5 nC
- 55 C
+ 175 C
90 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
브랜드: onsemi
구성: Single
하강 시간: 5.47 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소: 105 S
제품 유형: MOSFETs
상승 시간: 6.27 nC
시리즈: NTMFS1D3N04XM
팩토리 팩 수량: 1500
하위 범주: Transistors
트랜지스터 타입: 1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간: 29.2 ns
표준 턴-온 지연 시간: 20 ns
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속성 선택됨: 0

데이터시트

PCN

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

PowerTrench 기술

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.

40V 전력 MOSFET

Onsemi 40 V 전력 MOSFET 표준 게이트 레벨 기술을 특징으로 하며 동급 최고의 온 저항을 자랑합니다. Onsemi MOSFET은 모터 드라이버 애플리케이션용으로 설계되었습니다. 이 장치는 낮은 온 저항과 감소된 게이트 전하로 전도 및 구동 손실을 효과적으로 최소화합니다. 또한 이 MOSFET은 바디 다이오드의 역회복을 위한 탁월한 연성 제어 기능을 제공하여 애플리케이션에서 추가 스너버 회로를 사용할 필요 없이 전압 스파이크 응력을 효과적으로 완화합니다.

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