NTMFS0D9N04XLT1G

Name: onsemi NTMFS0D9N04XLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS0D9N04XLT1G
Price: 4736 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

863-NTMFS0D9N04XLT1G

제조업체 번호:

NTMFS0D9N04XLT1G

제조업체:

onsemi

설명:

MOSFET 40V T10S IN S08FL PACKAGE

데이터시트:

NTMFS0D9N04XLT1G 데이터시트

ECAD 모델:

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	onsemi
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	DFN-5
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	40 V
Id - 연속 드레인 전류:	278 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	900 uOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	2.2 V
Qg - 게이트 전하:	70 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	136 W
채널 모드:	Enhancement
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
브랜드:	onsemi
구성:	Single
하강 시간:	4 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	178 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	6 ns
시리즈:	NTMFS0D9N04XL
팩토리 팩 수량:	1500
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	53 ns
표준 턴-온 지연 시간:	21 ns

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문서 필터:

데이터시트

NTMFS0D9N04XLT1G 데이터시트

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

40V 전력 MOSFET

Onsemi 40 V 전력 MOSFET 표준 게이트 레벨 기술을 특징으로 하며 동급 최고의 온 저항을 자랑합니다. Onsemi MOSFET은 모터 드라이버 애플리케이션용으로 설계되었습니다. 이 장치는 낮은 온 저항과 감소된 게이트 전하로 전도 및 구동 손실을 효과적으로 최소화합니다. 또한 이 MOSFET은 바디 다이오드의 역회복을 위한 탁월한 연성 제어 기능을 제공하여 애플리케이션에서 추가 스너버 회로를 사용할 필요 없이 전압 스파이크 응력을 효과적으로 완화합니다.