NTMFS0D6N03CT1G

Name: onsemi NTMFS0D6N03CT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS0D6N03CT1G
Price: 4175 KRW
Availability: InStock

Mouser 번호:

863-NTMFS0D6N03CT1G

제조업체 번호:

NTMFS0D6N03CT1G

제조업체:

onsemi

설명:

MOSFET LFPAK WIDE SOA AND SO8FL EXPANSION

데이터시트:

NTMFS0D6N03CT1G 데이터시트

ECAD 모델:

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	₩2,715.6	₩27,156
	₩1,868.8	₩186,880
	₩1,547.6	₩773,800
	₩1,474.6	₩1,474,600
전체 릴(1500의 배수로 주문)
	₩1,328.6	₩1,992,900

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	onsemi
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	SO-8FL
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	30 V
Id - 연속 드레인 전류:	433 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	620 uOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	2.2 V
Qg - 게이트 전하:	65 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	200 W
채널 모드:	Enhancement
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
브랜드:	onsemi
제품 유형:	MOSFETs
시리즈:	NTMFS0D6N03C
팩토리 팩 수량:	1500
하위 범주:	Transistors

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문서 필터:

데이터시트

NTMFS0D6N03CT1G 데이터시트

PCN

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

단일 N-채널 전력 MOSFET

onsemi 단일 N-채널 전력 MOSFET은 R_DS(on) 및 정전용량이 낮은 소형 설치 공간 및 콤팩트한 설계의 MOSFET입니다. R_DS(on) 값이 낮으므로 전도 손실 최소화에 도움이 되고 정전용량이 낮으므로 드라이버 손실이 최소화됩니다. 이런 단일 N-채널 전력 MOSFET은 무연 및 RoHS 규격을 준수하며 작동 온도 범위가 -55~175°C입니다.

Trench6 N-채널 MV MOSFET

onsemi Trench6 N-채널 MV MOSFET은 차폐식 게이트 기술을 통합하고 있는 고급 전력 트렌치 프로세스를 사용하여 생산된 30V, 40V 및 60V MOSFET입니다. 이 프로세스는 ON 상태 저항을 최소화하되, 동급 최고의 소프트 바디 다이오드로 우수한 스위칭 성능을 유지하도록 최적화되었습니다.