NSS40302PDR2G

Name: onsemi NSS40302PDR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NSS40302PDR2G
Price: 2642 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

863-NSS40302PDR2G

제조업체 번호:

NSS40302PDR2G

제조업체:

onsemi

설명:

양극성 트랜지스터 - BJT COMP NPN/PNP LO VCE 40V 6A

데이터시트:

NSS40302PDR2G 데이터시트

ECAD 모델:

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재고 상태: 5,886

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컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩2,642.6	₩2,643
	₩1,679	₩16,790
	₩1,127.1	₩112,710
	₩890.6	₩445,300
	₩814.7	₩814,700
전체 릴(2500의 배수로 주문)
	₩719.8	₩1,799,500
	₩665.8	₩6,658,000

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	onsemi
제품 카테고리:	양극성 트랜지스터 - BJT
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	SOIC-8
트랜지스터 극성:	NPN, PNP
구성:	Dual
최대 DC 콜렉터 전류:	3 A
콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO:	40 V
콜렉터-베이스 전압 VCBO:	40 V
이미터-베이스 전압 VEBO:	6 V, 7 V
콜렉터-이미터 포화 전압:	82 mV, 135 mV
Pd - 전력 발산:	783 mW
게인 대역폭 제품 fT:	100 MHz
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
시리즈:	NSS40302PD
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	onsemi
DC 컬렉터/베이스 게인 hfe Min:	200 at 10 mA, 2 V, 200 at 500 mA, 2 V, 180 at 1 A, 2 V, 180 at 2 A, 2 V
최대 DC 전류 이득 hFE :	200 at 10 mA, 2 V
제품 유형:	BJTs - Bipolar Transistors
팩토리 팩 수량:	2500
하위 범주:	Transistors
단위 중량:	143 mg

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

NSS40302PDR2G 데이터시트

PCN

KRHTS:: 8541299000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 85423999
ECCN:: EAR99

e2PowerEdge 저VCE(sat) 트랜지스터

onsemi e2PowerEdge 저VCE_(sat)트랜지스터는 초저 포화 전압(VCE_(sat))과 높은 전류 이득 성능을 갖춘 소형 표면 실장 장치입니다. 경제적이고 효율적인 에너지 제어가 필수적인 저전압, 고속 스위칭 애플리케이션을 위해 설계되었습니다. 일반적으로 셀룰러 및 무선 전화 , PDA, 컴퓨터, 프린터, 디지털 카메라 및 MP3 플레이어와 같은 휴대용 및 배터리 전원 공급식 제품의 DC-DC 컨버터 및 전력 관리에 사용됩니다. 다른 애플리케이션으로는 디스크 및 테이프 드라이브와 같은 대용량 저장장치의 저압 모터 제어 장치가 있습니다. 이 장치는 자동차 산업의 에어백 배치와 계기 클러스터에 사용할 수 있습니다. 고전류 이득 덕분에 PMU & rsquo; S 제어 출력에서 onsemi e2PowerEdge 장치를 직접 구동할 수 있으며, 선형 이득(베타)덕분에 아날로그 증폭기에 이상적인 구성요소가 됩니다.