NSS20200DMTTBG

onsemi
863-NSS20200DMTTBG
NSS20200DMTTBG

제조업체:

설명:
양극성 트랜지스터 - BJT 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR

ECAD 모델:
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₩945.7 ₩9,457
₩618.6 ₩61,860
₩476.6 ₩238,300
₩432.2 ₩432,200
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₩373 ₩1,119,000

제품 속성 속성 값 속성 선택
onsemi
제품 카테고리: 양극성 트랜지스터 - BJT
RoHS:  
Si
SMD/SMT
WDFN6
Dual
20 V
20 V
250 mV
NSS20200DM
Reel
Cut Tape
브랜드: onsemi
COA(최종 조립 국가): Not Available
COD(확산 공정 국가): Not Available
COO(원산지): MY
DC 컬렉터/베이스 게인 hfe Min: 220
제품 유형: BJTs - Bipolar Transistors
팩토리 팩 수량: 3000
하위 범주: Transistors
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

USHTS:
8541210095
TARIC:
8541210000
ECCN:
EAR99

e2PowerEdge 저VCE(sat) 트랜지스터

onsemi e2PowerEdge 저VCE(sat) 트랜지스터는 초저 포화 전압(VCE(sat))과 높은 전류 이득 성능을 갖춘 소형 표면 실장 장치입니다. 경제적이고 효율적인 에너지 제어가 필수적인 저전압, 고속 스위칭 애플리케이션을 위해 설계되었습니다. 일반적으로 셀룰러 및 무선 전화 , PDA, 컴퓨터, 프린터, 디지털 카메라 및 MP3 플레이어와 같은 휴대용 및 배터리 전원 공급식 제품의 DC-DC 컨버터 및 전력 관리에 사용됩니다. 다른 애플리케이션으로는 디스크 및 테이프 드라이브와 같은 대용량 저장장치의 저압 모터 제어 장치가 있습니다. 이 장치는 자동차 산업의 에어백 배치와 계기 클러스터에 사용할 수 있습니다. 고전류 이득 덕분에 PMU & rsquo; S 제어 출력에서 onsemi e2PowerEdge 장치를 직접 구동할 수 있으며, 선형 이득(베타)덕분에 아날로그 증폭기에 이상적인 구성요소가 됩니다.