NSS1C301CTWG

Name: onsemi NSS1C301CTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NSS1C301CTWG
Price: 2175 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

863-NSS1C301CTWG

제조업체 번호:

NSS1C301CTWG

제조업체:

onsemi

설명:

양극성 트랜지스터 - BJT 100 V, 3.0 A Low VCE(sat) NPN Bipolar Junction Transistor 100 V, 3 A

데이터시트:

NSS1C301CTWG 데이터시트

ECAD 모델:

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	₩2,175.4	₩2,175
	₩1,370.9	₩13,709
	₩931.5	₩93,150
	₩746.1	₩373,050
	₩652.6	₩652,600
전체 릴(3000의 배수로 주문)
	₩570.9	₩1,712,700

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	onsemi
제품 카테고리:	양극성 트랜지스터 - BJT
RoHS:
패키지/케이스:	LFPAK-4
시리즈:	NSS1C301CT
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
브랜드:	onsemi
제품 유형:	BJTs - Bipolar Transistors
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	Transistors

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

NSS1C301CTWG 데이터시트

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541290095
TARIC:: 8541210000
ECCN:: EAR99

e2PowerEdge 저VCE(sat) 트랜지스터

onsemi e2PowerEdge 저VCE_(sat)트랜지스터는 초저 포화 전압(VCE_(sat))과 높은 전류 이득 성능을 갖춘 소형 표면 실장 장치입니다. 경제적이고 효율적인 에너지 제어가 필수적인 저전압, 고속 스위칭 애플리케이션을 위해 설계되었습니다. 일반적으로 셀룰러 및 무선 전화 , PDA, 컴퓨터, 프린터, 디지털 카메라 및 MP3 플레이어와 같은 휴대용 및 배터리 전원 공급식 제품의 DC-DC 컨버터 및 전력 관리에 사용됩니다. 다른 애플리케이션으로는 디스크 및 테이프 드라이브와 같은 대용량 저장장치의 저압 모터 제어 장치가 있습니다. 이 장치는 자동차 산업의 에어백 배치와 계기 클러스터에 사용할 수 있습니다. 고전류 이득 덕분에 PMU & rsquo; S 제어 출력에서 onsemi e2PowerEdge 장치를 직접 구동할 수 있으며, 선형 이득(베타)덕분에 아날로그 증폭기에 이상적인 구성요소가 됩니다.