NCP51530ADR2G

Name: onsemi NCP51530ADR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NCP51530ADR2G
Price: 1912 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

863-NCP51530ADR2G

제조업체 번호:

NCP51530ADR2G

제조업체:

onsemi

설명:

게이트 드라이버 700V HALF BRIDGE DRIVER

데이터시트:

NCP51530ADR2G 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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최소: 1 배수: 1

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₩-

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₩-

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포장:

전체 릴(2500의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩1,912.6	₩1,913
	₩1,389.9	₩13,899
	₩1,258.5	₩31,463
	₩1,115.4	₩111,540
	₩1,046.8	₩261,700
	₩1,005.9	₩502,950
	₩951.9	₩951,900
전체 릴(2500의 배수로 주문)
	₩900.8	₩2,252,000
	₩873.1	₩6,548,250

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	onsemi
제품 카테고리:	게이트 드라이버
RoHS:
제품:	MOSFET Gate Drivers
타입:	High-Side, Low-Side
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	SOIC-8
드라이버 수:	2 Driver
출력 수:	2 Output
출력 전류:	3.5 A
공급 전압 - 최소:	10 V
공급 전압 - 최대:	17 V
상승 시간:	8 ns
하강 시간:	8 ns
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 125 C
시리즈:	NCP51530
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	onsemi
로직 타입:	CMOS, TTL
최대 턴-오프 지연 시간:	7 ns
최대 턴-온 지연 시간:	7 ns
작동 공급 전류:	2 mA
제품 유형:	Gate Drivers
전파 지연 - 최대:	100 ns
차단:	No Shutdown
팩토리 팩 수량:	2500
하위 범주:	PMIC - Power Management ICs
기술:	Si
단위 중량:	155.833 mg

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

NCP51530ADR2G 데이터시트 (PDF)

PCN

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

NCP51530 MOSFET 게이트 드라이버

onsemi NCP51530 MOSFET 게이트 드라이버는 AC/DC 전원 공급 장치 및 인버터를 위한 고주파, 700V, 2A의 하이 및 로우 사이드 드라이버입니다. NCP51530은 고주파 작동 모드에서 동급 최고의 전파 지연, 낮은 대기 전류 및 낮은 스위칭 전류를 제공합니다. 이 NCP51530 드라이버는 고주파에서 작동하는 고효율 전원 공급 장치에 적합합니다. NCP51530 드라이버는 NCP51530A/B의 두 가지 버전으로 제공됩니다. NCP51530A는 일반적인 60ns 전파 지연을 제공하고 NCP51530B는 25ns의 일반적인 전파 지연을 제공합니다. 일반적으로 서버, 텔레콤 및 산업용 고밀도 SMPS, 하프/풀 브리지 및 LLC 컨버터, 액티브 클램프 플라이백/포워드 컨버터, 태양광 인버터 및 전동식 조향 장치에 사용됩니다.

산업용 모터 드라이브

Onsemi 산업용 모터 드라이브는 글로벌 지속 가능성을 위해 설계되었으며 효율적이고 재생 가능한 기술과 지능적인 전력을 공급합니다. 미국 에너지부(DOE)에서 발표한2020 모터 시스템 시장 분석(MSMA)에 따르면 산업용 펌프와 드라이브는 매년 미국 전체 전력망의 약15%를 소비합니다. 2020 MSMA는 또한 VFD를 사용하여 매년 32.3백만미터톤의 CO2 배출량을 줄일 수 있다고 추정합니다. onsemi는 게이트 드라이버, MOSFET, IGBT, EliteSiC를 포함한 광범위한 VFD 반도체 부품을 제조합니다.