MT46V64M8P-5B:J

Micron
340-122948-TRAY
MT46V64M8P-5B:J

제조업체:

설명:
DRAM DDR 512Mbit 8 66/66TSOP 1 CT

라이프사이클:
공장 상태 검증:
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ECAD 모델:
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단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:

가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩11,573.6 ₩11,574
₩10,774.4 ₩107,744
₩10,463.6 ₩261,590
₩10,212 ₩510,600
₩9,975.2 ₩997,520
₩9,708.8 ₩2,427,200
₩9,205.6 ₩4,602,800

제품 속성 속성 값 속성 선택
Micron Technology
제품 카테고리: DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR
512 Mbit
8 bit
200 MHz
TSOP-66
64 M x 8
700 ps
2.5 V
2.7 V
0 C
+ 70 C
MT46V
Tray
브랜드: Micron
COA(최종 조립 국가): Not Available
COD(확산 공정 국가): Not Available
COO(원산지): TW
습도에 민감: Yes
장착 스타일: SMD/SMT
제품 유형: DRAM
팩토리 팩 수량: 1080
하위 범주: Memory & Data Storage
공급 전류 - 최대: 85 mA
단위 중량: 9.140 g
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

                        
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CNHTS:
8542320000
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320028
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

DDR SDRAM

Micron DDR SDRAM은 애플리케이션이 클록 신호의 상승 및 하강 에지에서 데이터를 전송할 수 있도록 허용하는 혁신적이고 선구적인 기술입니다. 이 장치는 대역폭을 두 배로 늘리고 SDR SDRAM보다 성능을 향상시킵니다. 이 기능을 구현하기 위해 Micron은 내부 데이터 버스가 외부 데이터 버스의 2배 크기인 2n-프리페치 아키텍처를 사용하므로 데이터 클록 주기마다 2회 데이터 캡처가 발생할 수 있습니다.