MSCGLQ50DH120CTBL2NG

Microchip Technology
579-LQ50DH120CTBL2NG
MSCGLQ50DH120CTBL2NG

제조업체:

설명:
IGBT 모듈 PM-IGBT-SBD-BL2

데이터시트:
ECAD 모델:
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제품 속성 속성 값 속성 선택
Microchip
제품 카테고리: IGBT 모듈
IGBT Modules
Asymmetrical Bridge
1.2 kV
2.4 V
110 A
150 nA
375 W
- 55 C
+ 175 C
브랜드: Microchip Technology
최대 게이트 이미터 전압: 20 V
장착 스타일: Screw Mount
제품 유형: IGBT Modules
팩토리 팩 수량: 1
하위 범주: IGBTs
기술: Si
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속성 선택됨: 0

데이터시트

PCN

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

고속 IGBT4 전력 모듈

Microchip Technology 고속 IGBT4 전력 모듈은 낮은 전압 강하, 낮은 누설 전류, 낮은 스위칭 손실이 특징입니다. 이 모듈은 1,200V VCES(컬렉터-이미터 전압)에서 작동하고 매우 낮은 표류 인덕턴스, 간편한 구동을 위한 켈빈 이미터/소스 및 확장된 온도 범위를 제공합니다. IGBT4 모듈의 장점은 고효율 변환기이며 고주파 작동, 로우 프로파일 및 낮은 접합-히트싱크 열 저항에서 탁월한 성능을 발휘합니다. 이 모듈은 고신뢰성 전원 시스템, AC 스위치, 고효율 AC/DC 및 DC/AC 변환기, 모터 제어와 같은 애플리케이션에 사용됩니다.

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