MRFE6VP6300HR5

NXP Semiconductors
841-MRFE6VP6300HR5
MRFE6VP6300HR5

제조업체:

설명:
RF MOSFET 트랜지스터 VHV6 300W50VISM NI780H-4

ECAD 모델:
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₩802,752 ₩802,752
₩699,788.4 ₩6,997,884
₩690,908.4 ₩17,272,710
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₩658,585.2 ₩32,929,260
100 견적
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제품 속성 속성 값 속성 선택
NXP
제품 카테고리: RF MOSFET 트랜지스터
RoHS:  
N-Channel
Si
130 V
1.8 MHz to 600 MHz
26.5 dB
300 W
+ 150 C
Screw Mount
NI-780-4
Reel
Cut Tape
MouseReel
브랜드: NXP Semiconductors
채널 수: 2 Channel
Pd - 전력 발산: 1.05 kW
제품 유형: RF MOSFET Transistors
시리즈: MRFE6VP6300H
팩토리 팩 수량: 50
하위 범주: MOSFETs
타입: RF Power MOSFET
Vgs - 게이트 소스 전압: + 10 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압: 2.7 V
부품번호 별칭: 935317343178
단위 중량: 6.396 g
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속성 선택됨: 0

KRHTS:
8541299000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MRFE6VPx Lateral N-Ch Broadband RF Power MOSFETs

NXP's MRFE6VPx Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs are designed for use in high VSWR industrial (including laser and plasma exciters), broadcast (analog and digital), aerospace, and radio/land-mobile applications. They are unmatched input and output designs allowing wide frequency range utilization, between 1.8 and 600MHz. They can be used single-ended or in a push-pull configuration and are suitable for linear applications with appropriate biasing. These RF MOSFETs are capable of handling a load mismatch of 65:1 VSWR, a 50VDC, 230MHz at all phase angles.