MRFE6VP5600HR5

NXP Semiconductors
841-MRFE6VP5600HR5
MRFE6VP5600HR5

제조업체:

설명:
RF MOSFET 트랜지스터 VHV6 600W 50V NI1230H

데이터시트:
ECAD 모델:
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재고 상태: 50

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포장:
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가격 (KRW)

수량 단가
합계
컷 테이프/MouseReel™ †
₩1,094,238 ₩1,094,238
₩960,386.8 ₩9,603,868
₩955,029.2 ₩23,875,730
전체 릴(50의 배수로 주문)
₩907,654.4 ₩45,382,720
100 견적
† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

제품 속성 속성 값 속성 선택
NXP
제품 카테고리: RF MOSFET 트랜지스터
RoHS:  
N-Channel
Si
2 A
130 V
1.8 MHz to 600 MHz
25 dB
600 W
+ 150 C
SMD/SMT
NI-1230
Reel
Cut Tape
MouseReel
브랜드: NXP Semiconductors
Pd - 전력 발산: 1.667 kW
제품 유형: RF MOSFET Transistors
시리즈: MRFE6VP5600H
팩토리 팩 수량: 50
하위 범주: MOSFETs
타입: RF Power MOSFET
Vgs - 게이트 소스 전압: + 10 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압: 2.7 V
부품번호 별칭: 935310538178
단위 중량: 13.155 g
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

데이터시트

KRHTS:
8541299000
CNHTS:
8504409190
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MRFE6VPx Lateral N-Ch Broadband RF Power MOSFETs

NXP's MRFE6VPx Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs are designed for use in high VSWR industrial (including laser and plasma exciters), broadcast (analog and digital), aerospace, and radio/land-mobile applications. They are unmatched input and output designs allowing wide frequency range utilization, between 1.8 and 600MHz. They can be used single-ended or in a push-pull configuration and are suitable for linear applications with appropriate biasing. These RF MOSFETs are capable of handling a load mismatch of 65:1 VSWR, a 50VDC, 230MHz at all phase angles.

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