MR4A08BCYS35

Name: Everspin Technologies MR4A08BCYS35
Brand: Everspin Technologies
SKU: 936-MR4A08BCYS35
Price: 87600 KRW
Availability: InStock

이미지는 참조용으로만 사용하십시오
제품 사양을 참조하세요

Mouser 번호:

936-MR4A08BCYS35

제조업체 번호:

MR4A08BCYS35

제조업체:

Everspin Technologies

설명:

MRAM(자기 메모리) 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM(자기 메모리)

데이터시트:

MR4A08BCYS35 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기

추가 정보

Everspin Technologies MR4A08BCYS35에 대해 자세히 알아보십시오.

재고 상태: 280

재고:: 280 즉시 배송 가능

예기치 않은 오류가 발생했습니다. 나중에 다시 시도하십시오.
공장 리드 타임:: 27 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

본 제품의 배송비는 무료

가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩87,600	₩87,600
	₩80,898.6	₩808,986
	₩78,270.6	₩1,956,765
	₩76,314.2	₩3,815,710
	₩73,584	₩7,358,400
270	견적

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Everspin Technologies
제품 카테고리:	MRAM(자기 메모리)
RoHS:
패키지/케이스:	TSOP-II-44
인터페이스 타입:	Parallel
메모리 크기:	16 Mbit
조직:	2 M x 8
데이터 버스 너비:	8 bit
액세스 시간:	35 ns
공급 전압 - 최소:	3 V
공급 전압 - 최대:	3.6 V
작동 공급 전류:	60 mA, 152 mA
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 85 C
시리즈:	MR4A08B
포장:	Tray
브랜드:	Everspin Technologies
습도에 민감:	Yes
장착 스타일:	SMD/SMT
Pd - 전력 발산:	600 mW
제품 유형:	MRAM
팩토리 팩 수량:	135
하위 범주:	Memory & Data Storage
상표명:	Parallel I/O (x8)
단위 중량:	2.200 g

제품을 찾음:

유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

MR4A08BCYS35 데이터시트 (PDF)

PCN

Alternative Format for Trace Codes (PDF)

이 기능을 활성화하려면 자바스크립트가 필요합니다.

KRHTS:: 8542321040
CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
JPHTS:: 8542320312
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

MR4A08B & MR4A16B 16Mb Parallel MRAMs

Everspin Technologies MR4A08B and MR4A16B 16Mb Parallel MRAM devices provide SRAM compatible 35ns read/write timing with unlimited endurance. The Everspin Technologies MR4A08B is a 16,777,216-bit Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) device organized as 2,097,152 words of 8 bits.

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.