MR2A08AYS35

Name: Everspin Technologies MR2A08AYS35
Brand: Everspin Technologies
SKU: 936-MR2A08AYS35
Price: 49800 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

936-MR2A08AYS35

제조업체 번호:

MR2A08AYS35

제조업체:

Everspin Technologies

설명:

MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)

데이터시트:

MR2A08AYS35 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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수량	단가	합계
	₩49,800.6	₩49,801
	₩46,092.2	₩460,922
	₩44,749	₩1,118,725
	₩43,624.8	₩11,778,696
540	견적

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Everspin Technologies
제품 카테고리:	MRAM(자기 메모리)
RoHS:
패키지/케이스:	TSOP-II-44
인터페이스 타입:	Parallel
메모리 크기:	4 Mbit
조직:	512 k x 8
데이터 버스 너비:	8 bit
액세스 시간:	35 ns
공급 전압 - 최소:	3 V
공급 전압 - 최대:	3.6 V
작동 공급 전류:	30 mA, 90 mA
최저 작동온도:	0 C
최고 작동온도:	+ 70 C
시리즈:	MR2A08A
포장:	Tray
브랜드:	Everspin Technologies
습도에 민감:	Yes
장착 스타일:	SMD/SMT
Pd - 전력 발산:	600 mW
제품 유형:	MRAM
팩토리 팩 수량:	135
하위 범주:	Memory & Data Storage
상표명:	Parallel I/O (x8)
단위 중량:	5.216 g

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데이터시트

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KRHTS:: 8542321040
CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
JPHTS:: 8542320312
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

MR2A08A & MR2A16A 4Mb Parallel MRAM

Everspin Technologies MR2A08A and MR2A16A 4Mb Parallel MRAM devices offer SRAM compatible 35ns read/write timing with unlimited endurance. The MR2A08A series products are 4,194,304-bit Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) devices organized as 524,288 words of 8 bits.

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.