MR25H128AMDF

Name: Everspin Technologies MR25H128AMDF
Brand: Everspin Technologies
SKU: 936-MR25H128AMDF
Price: 20980 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

936-MR25H128AMDF

제조업체 번호:

MR25H128AMDF

제조업체:

Everspin Technologies

설명:

MRAM(자기 메모리) 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI

데이터시트:

MR25H128AMDF 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩20,980.2	₩20,980
	₩19,491	₩194,910
	₩18,892.4	₩472,310
	₩18,790.2	₩939,510
	₩15,957.8	₩9,095,946

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Everspin Technologies
제품 카테고리:	MRAM(자기 메모리)
RoHS:
패키지/케이스:	DFN-8
인터페이스 타입:	SPI
메모리 크기:	128 kbit
조직:	16 k x 8
데이터 버스 너비:	8 bit
공급 전압 - 최소:	2.7 V
공급 전압 - 최대:	3.6 V
작동 공급 전류:	6 mA, 23 mA
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 125 C
시리즈:	MR25H128A
포장:	Tray
브랜드:	Everspin Technologies
습도에 민감:	Yes
장착 스타일:	SMD/SMT
Pd - 전력 발산:	600 mW
제품 유형:	MRAM
팩토리 팩 수량:	570
하위 범주:	Memory & Data Storage
상표명:	Serial I/O (SPI)
단위 중량:	5.163 g

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문서 필터:

데이터시트

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CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

MR25Hxx Serial SPI MRAMs

Everspin Technologies MR25Hxx Serial SPI MRAMs offer serial EEPROM and serial Flash compatible read/write timing with no write delays and unlimited read/write endurance. Unlike other serial memories, both reads and writes can occur randomly in memory with no delay between writes.

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.