MASTERGAN1LTR

Name: STMicroelectronics MASTERGAN1LTR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-MASTERGAN1LTR
Price: 10567 KRW
Availability: InStock

이미지는 참조용으로만 사용하십시오
제품 사양을 참조하세요

Mouser 번호:

511-MASTERGAN1LTR

제조업체 번호:

MASTERGAN1LTR

제조업체:

STMicroelectronics

설명:

게이트 드라이버 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver

설계 완성하기

데이터시트:

MASTERGAN1LTR 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기

추가 정보

STMicroelectronics MASTERGAN1LTR에 대해 자세히 알아보십시오.

재고 상태: 1,274

재고:: 1,274 즉시 배송 가능

예기치 않은 오류가 발생했습니다. 나중에 다시 시도하십시오.
공장 리드 타임:: 26 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

1274을(를) 초과하는 수량에 대해서는 최소 주문 요구사항이 적용됩니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩10,567.2	₩10,567
	₩8,154.8	₩81,548
	₩7,562.8	₩189,070
	₩6,896.8	₩689,680
	₩6,571.2	₩1,642,800
	₩6,378.8	₩3,189,400
	₩6,230.8	₩6,230,800
전체 릴(3000의 배수로 주문)
	₩5,624	₩16,872,000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	STMicroelectronics
제품 카테고리:	게이트 드라이버
RoHS:
타입:	Half-Bridge
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	QFN-31
출력 수:	4 Output
출력 전류:	17 A
공급 전압 - 최소:	4.75 V
공급 전압 - 최대:	9.5 V
구성:	Non-Inverting
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 125 C
시리즈:	MASTERGAN
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
브랜드:	STMicroelectronics
ACO(최종 조립 국가):	Not Available
COD(확산 공정 국가):	Not Available
COO(원산지):	TH
최대 턴-오프 지연 시간:	45 ns
최대 턴-온 지연 시간:	45 ns
습도에 민감:	Yes
작동 공급 전류:	10 A
Pd - 전력 발산:	40 mW
제품 유형:	Gate Drivers
전파 지연 - 최대:	70 ns
Rds On - 드레인 소스 저항:	330 mOhms
차단:	Shutdown
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	PMIC - Power Management ICs
기술:	GaN

제품을 찾음:

유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

MASTERGAN1LTR 데이터시트 (PDF)

PCN

Product Change Notification 2026-3-20 (PDF)

이 기능을 활성화하려면 자바스크립트가 필요합니다.

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

MASTERGAN GaN 하프 브리지 고전압 드라이버

STMicroelectronics MASTERGAN GaN 하프 브리지 고압 드라이버는 하프 브리지 구성에서 게이트 드라이버와 2개의 강화 모드 GaN 트랜지스터를 모두 통합하여 고출력 밀도 전원 공급 장치를 구현했습니다. 통합 전력 GaN는 150mΩ R_DS(ON) 및 650V 드레인 소스 항복 전압이 특징입니다. 통합형 부트스트랩 다이오드는 임베디드 게이트 드라이버의 하이 사이드를 신속하게 공급할 수 있습니다.