MASTERGAN1LTR

STMicroelectronics
511-MASTERGAN1LTR
MASTERGAN1LTR

제조업체:

설명:
게이트 드라이버 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver
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데이터시트:
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STMicroelectronics
제품 카테고리: 게이트 드라이버
RoHS:  
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-31
4 Output
17 A
4.75 V
9.5 V
Non-Inverting
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Reel
Cut Tape
브랜드: STMicroelectronics
최대 턴-오프 지연 시간: 45 ns
최대 턴-온 지연 시간: 45 ns
습도에 민감: Yes
작동 공급 전류: 10 A
Pd - 전력 발산: 40 mW
제품 유형: Gate Drivers
전파 지연 - 최대: 70 ns
Rds On - 드레인 소스 저항: 330 mOhms
차단: Shutdown
팩토리 팩 수량: 3000
하위 범주: PMIC - Power Management ICs
기술: GaN
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

데이터시트

PCN

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규정 준수 코드
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99
원산지 분류
COO(원산지):
태국
어셈블리 원산지:
불가능
COD(확산 공정 국가):
불가능
배송 시 국가는 변경될 수 있습니다.

MASTERGAN GaN 하프 브리지 고전압 드라이버

STMicroelectronics MASTERGAN GaN 하프 브리지 고압 드라이버는 하프 브리지 구성에서 게이트 드라이버와 2개의 강화 모드 GaN 트랜지스터를 모두 통합하여 고출력 밀도 전원 공급 장치를 구현했습니다. 통합 전력 GaN는 150mΩ RDS(ON) 및 650V 드레인 소스 항복 전압이 특징입니다. 통합형 부트스트랩 다이오드는 임베디드 게이트 드라이버의 하이 사이드를 신속하게 공급할 수 있습니다.

주요 제품
STMICROELECTRONICS

L98GD8E 8채널 MOSFET 프리 드라이버
이 장치는 로우 사이드, 하이 사이드, 피크 및 홀드, 하프 브릿지 부하 제어용으로 구성할 수 있습니다.
L98GD8E 8채널 MOSFET 프리 드라이버 에 대해 자세히 알아보기
STDRIVEG212 220 V 하프 브리지 게이트 드라이버
향상된 모드인 GaN(생성적 적대 네트워크) HEMT를 구동하는 5V에 맞게 최적화된 하프 브리지 게이트 드라이버입니다.
STDRIVEG212 220 V 하프 브리지 게이트 드라이버 에 대해 자세히 알아보기
STDRIVEG612 600 V 하프 브리지 게이트 드라이버
향상된 모드인 GaN(생성적 적대 네트워크) HEMT를 구동하는 5V에 맞게 최적화된 하프 브리지 게이트 드라이버입니다.
STDRIVEG612 600 V 하프 브리지 게이트 드라이버 에 대해 자세히 알아보기
STSID140-12 SMD 절연 사이리스터 드라이버
산업용 앱과 소비자 앱에서 전력 사이리스터를 위한 강력하고 효율적인 트리거를 제공하도록 설계되었습니다.
STSID140-12 SMD 절연 사이리스터 드라이버 에 대해 자세히 알아보기
STDRIVEG211 하프 브리지 게이트 드라이버
N-채널 증가 모드의 경우 질화칼륨 및 하이사이드 드라이버 섹션은 최대 220V까지 전압 레일을 견딜 수 있습니다.
STDRIVEG211 하프 브리지 게이트 드라이버 에 대해 자세히 알아보기

재고 상태: 1,274

재고:
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공장 리드 타임:
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최소: 1   배수: 1
단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:

가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩12,511.2 ₩12,511
₩9,687.6 ₩96,876
₩8,970 ₩224,250
₩8,190 ₩819,000
₩7,628.4 ₩1,907,100
₩7,394.4 ₩7,394,400
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