KTDM4G4B626BGCEAT

Name: SMART KTDM4G4B626BGCEAT
Brand: SMARTsemi
SKU: 473-M4G4B626BGCEAT
Price: 16161 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

473-M4G4B626BGCEAT

제조업체 번호:

KTDM4G4B626BGCEAT

제조업체:

SMARTsemi

설명:

DRAM DRAM DDR4 4GB 256MX16 2666Mbps 1.2V 96-FBGA Commercial

데이터시트:

KTDM4G4B626BGCEAT 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩16,161.6	₩16,162
	₩15,022	₩150,220
	₩14,563.2	₩364,080
	₩14,222.8	₩711,140
	₩13,867.6	₩1,386,760
	₩13,423.6	₩2,657,873
	₩13,083.2	₩7,771,421
	₩12,742.8	₩15,138,446
2,574	견적

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	SMART
제품 카테고리:	DRAM
RoHS:
타입:	SDRAM - DDR4
메모리 크기:	4 Gbit
데이터 버스 너비:	16 bit
최대 클록 주파수:	1.333 GHz
패키지/케이스:	FBGA-96
조직:	256 M x 16
공급 전압 - 최소:	1.14 V
공급 전압 - 최대:	1.26 V
최저 작동온도:	0 C
최고 작동온도:	+ 85 C
시리즈:	KTDM
포장:	Tray
브랜드:	SMARTsemi
COA(최종 조립 국가):	Not Available
COD(확산 공정 국가):	Not Available
COO(원산지):	TW
습도에 민감:	Yes
장착 스타일:	SMD/SMT
제품 유형:	DRAM
팩토리 팩 수량:	198
하위 범주:	Memory & Data Storage

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

KTDM4G4B626BGCEAT 데이터시트 (PDF)

CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

DDR4 Memory ICs

SMARTsemi DDR4 Memory ICs feature a power supply (JEDEC standard 1.2V) of V_DD = 1.2V ± 5%, and V_PP = 2.375V to 2.75V. The ICs have up to 8 banks (4 banks x 2 bank groups) for x 16 products. The DDR4 feature a Pseudo Open Drain (POD) interface with a Burst Length (BL) of 8 and 4 with Burst Chop (BC).