KTDM4G3C818BGCEAT

Name: SMART KTDM4G3C818BGCEAT
Brand: SMARTsemi
SKU: 473-M4G3C818BGCEAT
Price: 17301 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

473-M4G3C818BGCEAT

제조업체 번호:

KTDM4G3C818BGCEAT

제조업체:

SMARTsemi

설명:

DRAM DRAM DDR3(L) 4GB 512MX8 1866Mbps 1.35V/1.5V 78-FBGA Commercial

데이터시트:

KTDM4G3C818BGCEAT 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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추가 정보

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₩-

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가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩17,301.2	₩17,301
	₩16,072.8	₩160,728
	₩15,584.4	₩389,610
	₩15,214.4	₩760,720
	₩14,829.6	₩1,482,960
	₩14,356	₩3,014,760
	₩13,986	₩5,874,120
	₩13,630.8	₩14,312,340
2,520	견적

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	SMART
제품 카테고리:	DRAM
RoHS:
타입:	SDRAM - DDR3L
메모리 크기:	4 Gbit
데이터 버스 너비:	8 bit
최대 클록 주파수:	933 MHz
패키지/케이스:	FBGA-78
조직:	512 M x 8
공급 전압 - 최소:	1.283 V
공급 전압 - 최대:	1.575 V
최저 작동온도:	0 C
최고 작동온도:	+ 85 C
시리즈:	KTDM
포장:	Tray
브랜드:	SMARTsemi
COA(최종 조립 국가):	Not Available
COD(확산 공정 국가):	Not Available
COO(원산지):	TW
습도에 민감:	Yes
장착 스타일:	SMD/SMT
제품 유형:	DRAM
팩토리 팩 수량:	210
하위 범주:	Memory & Data Storage

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

KTDM4G3C818BGCEAT 데이터시트 (PDF)

CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

DDR3 Memory ICs

SMARTsemi DDR3 Memory ICs feature a double data rate architecture to achieve high-speed operation. The ICs achieve high-speed double-data-rate transfer rates of up to 1866Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all key DDR3(L) DRAM key features, and all control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks.