KTDM2G3C618BGCEAT

Name: SMART KTDM2G3C618BGCEAT
Brand: SMARTsemi
SKU: 473-M2G3C618BGCEAT
Price: 14888 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

473-M2G3C618BGCEAT

제조업체 번호:

KTDM2G3C618BGCEAT

제조업체:

SMARTsemi

설명:

DRAM DRAM DDR3(L) 2GB 125MX16 1866Mbps 1.35V/1.5V 96-FBGA Commercial

데이터시트:

KTDM2G3C618BGCEAT 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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	₩14,888.8	₩14,889
	₩14,474.4	₩144,744
	₩12,313.6	₩2,438,093
	₩12,002.8	₩7,129,663
	₩11,928.8	₩14,171,414
2,574	견적

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	SMART
제품 카테고리:	DRAM
RoHS:
타입:	SDRAM - DDR3L
메모리 크기:	2 Gbit
데이터 버스 너비:	16 bit
최대 클록 주파수:	933 MHz
패키지/케이스:	FBGA-96
조직:	128 M x 16
공급 전압 - 최소:	1.283 V
공급 전압 - 최대:	1.575 V
최저 작동온도:	0 C
최고 작동온도:	+ 85 C
시리즈:	KTDM
포장:	Tray
브랜드:	SMARTsemi
습도에 민감:	Yes
장착 스타일:	SMD/SMT
제품 유형:	DRAM
팩토리 팩 수량:	198
하위 범주:	Memory & Data Storage

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

KTDM2G3C618BGCEAT 데이터시트 (PDF)

CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

DDR3 Memory ICs

SMARTsemi DDR3 Memory ICs feature a double data rate architecture to achieve high-speed operation. The ICs achieve high-speed double-data-rate transfer rates of up to 1866Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all key DDR3(L) DRAM key features, and all control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks.