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ISC151N20NM6ATMA1

Name: Infineon ISC151N20NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC151N20NM6ATMA
Price: 8006 KRW
Availability: OutOfStock

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Mouser 번호:

726-ISC151N20NM6ATMA

제조업체 번호:

ISC151N20NM6ATMA1

제조업체:

Infineon Technologies

설명:

MOSFET IFX FET >150 - 400V

데이터시트:

ISC151N20NM6ATMA1 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩8,006.8	₩8,007
	₩5,653.6	₩56,536
	₩4,070	₩407,000
	₩3,966.4	₩1,983,200
전체 릴(5000의 배수로 주문)
	₩3,241.2	₩16,206,000

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Infineon
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	TDSON-8
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	200 V
Id - 연속 드레인 전류:	74 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	15.1 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	3.7 V
Qg - 게이트 전하:	31 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	200 W
채널 모드:	Enhancement
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Infineon Technologies
구성:	Single
하강 시간:	7 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	15 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	10 ns
팩토리 팩 수량:	5000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	15 ns
표준 턴-온 지연 시간:	10 ns
부품번호 별칭:	ISC151N20NM6 SP005562947

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문서 필터:

데이터시트

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

OptiMOS™ 6 전력 MOSFET

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 전력 MOSFET은 차세대 최첨단 혁신 기술과 동급 최고의 성능을 제공합니다. OptiMOS 6 제품군은 박형 웨이퍼 기술을 활용하여 상당한 성능 향상을 실현합니다. OptiMOS 6 전력 MOSFET은 다른 제품 대비 RDS(ON)이 30% 낮으며 동기 정류에 최적화되어 있습니다. 이 MOSFET은 40V, 100V, 120V, 135V, 150V, 200V 등 다양한 전압 노드로 제공됩니다.

OptiMOS™ 6 200 V 전력 MOSFET

Infineon Technologies OptiMOS™6200 V전력 MOSFET은PG-TO263-3PG-TO220-3PG-HDSOP-16패키지로 제공되는 N 채널 일반 레벨 MOSFET입니다. 이 MOSFET은 뛰어난 게이트 전하 x RDS_(on)제품(FOM), 매우 낮은 역회복 전하(Qrr), 낮은 온 저항 RDS_(on)을 특징으로 합니다. OptiMOS™6200 VMOSFET은175 °C온도에서 작동합니다. 이 MOSFET은 J-STD-020 표준에 따라 분류된 무할로겐(IEC61249-2-21) 및 습기 민감도 수준(MSL1) 에 따라 무할로겐 제품입니다. OptiMOS™6200 VMOSFET은 재생 에너지, 모터 제어, 오디오 증폭기 및 산업용 애플리케이션에 이상적입니다.

OptiMOS™ 3 N-채널 MOSFET

Infineon Technologies OptiMOS™ 3 N-채널 MOSFET은 SuperSO8 무연 패키지에서 낮은 온 상태 저항이 특징입니다. OptiMOS 3 MOSFET은 산업, 소비자 가전 및 통신 애플리케이션에서 전력 밀도를 최대 50% 높여줍니다.OptiMOS™ 3은 40V, 60V 및 80V N-채널 MOSFET으로 제공되며 Superso8 및 Shrink SuperSO8(S3O8) 패키지로 제공됩니다. SuperSO8은 표준 TO(Transistor Outline) 패키지에 비해 전력 밀도를 50% 높여줍니다.