IS66WVR4M8ALL-104NLI

Name: ISSI IS66WVR4M8ALL-104NLI
Brand: ISSI
SKU: 870-6WVR4M8ALL104NLI
Price: 5475 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

870-6WVR4M8ALL104NLI

제조업체 번호:

IS66WVR4M8ALL-104NLI

제조업체:

ISSI

설명:

DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS

라이프사이클:

신제품:

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데이터시트:

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ECAD 모델:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	ISSI
제품 카테고리:	DRAM
RoHS:
타입:	PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기:	32 Mbit
데이터 버스 너비:	8 bit
최대 클록 주파수:	104 MHz
패키지/케이스:	SOIC-8
조직:	4 M x 8
액세스 시간:	7 ns
공급 전압 - 최소:	1.65 V
공급 전압 - 최대:	1.95 V
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 85 C
브랜드:	ISSI
습도에 민감:	Yes
장착 스타일:	SMD/SMT
제품 유형:	DRAM
팩토리 팩 수량:	100
하위 범주:	Memory & Data Storage
공급 전류 - 최대:	15 mA

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문서 필터:

데이터시트

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CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320002
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: 3A991.b.2.a

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.