IS66WVQ16M4FBLL-200BLI

Name: ISSI IS66WVQ16M4FBLL-200BLI
Brand: ISSI
SKU: 870-VQ16M4DBLL200BLI
Price: 7163 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

870-VQ16M4DBLL200BLI

제조업체 번호:

IS66WVQ16M4FBLL-200BLI

제조업체:

ISSI

설명:

DRAM 64Mb, QUADRAM, 2.7V-3.6V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS

라이프사이클:

신제품:

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	ISSI
제품 카테고리:	DRAM
RoHS:
타입:	SDRAM
메모리 크기:	64 Mbit
최대 클록 주파수:	200 MHz
패키지/케이스:	TFBGA-24
공급 전압 - 최소:	2.7 V
공급 전압 - 최대:	3.6 V
브랜드:	ISSI
COA(최종 조립 국가):	Not Available
COD(확산 공정 국가):	Not Available
COO(원산지):	TW
습도에 민감:	Yes
장착 스타일:	SMD/SMT
제품 유형:	DRAM
팩토리 팩 수량:	480
하위 범주:	Memory & Data Storage

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Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.