IS66WVE2M16EBLL-70BLI

Name: ISSI IS66WVE2M16EBLL-70BLI
Brand: ISSI
SKU: 870-66E2M16EBLL70BLI
Price: 7081 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

870-66E2M16EBLL70BLI

제조업체 번호:

IS66WVE2M16EBLL-70BLI

제조업체:

ISSI

설명:

SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

데이터시트:

IS66WVE2M16EBLL-70BLI 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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IS66WVE2M16EBLL-70BLI-TR

포장:

Reel, Cut Tape, MouseReel

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	ISSI
제품 카테고리:	SRAM
RoHS:
메모리 크기:	32 Mbit
조직:	2 M x 16
액세스 시간:	70 ns
인터페이스 타입:	Parallel
공급 전압 - 최대:	3.6 V
공급 전압 - 최소:	2.7 V
공급 전류 - 최대:	30 mA
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 85 C
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	TFBGA-48
브랜드:	ISSI
메모리 타입:	SDR
습도에 민감:	Yes
제품 유형:	SRAM
시리즈:	IS66WVE2M16EBLL
팩토리 팩 수량:	480
하위 범주:	Memory & Data Storage
타입:	Asynchronous
단위 중량:	86 mg

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데이터시트

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KRHTS:: 8542321010
CNHTS:: 8542329000
USHTS:: 8542320002
JPHTS:: 854232021
TARIC:: 8542324500
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.