IS66WV51216EBLL-55TLI

ISSI
870-66WV512EBLL55TLI
IS66WV51216EBLL-55TLI

제조업체:

설명:
SRAM 8Mb Pseudo SRAM Async 512Kx16 55ns

데이터시트:
ECAD 모델:
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단가:
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합계:
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가격 (KRW)

수량 단가
합계
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₩5,298.4 ₩52,984
₩5,135.6 ₩128,390

제품 속성 속성 값 속성 선택
ISSI
제품 카테고리: SRAM
RoHS:  
8 Mbit
512 k x 16
55 ns
Parallel
3.6 V
2.5 V
28 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
브랜드: ISSI
습도에 민감: Yes
제품 유형: SRAM
시리즈: IS66WV51216EBLL
팩토리 팩 수량: 135
하위 범주: Memory & Data Storage
단위 중량: 2.870 g
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

데이터시트

Models

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CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320030
USHTS:
8542320041
JPHTS:
854232019
TARIC:
8542324500
MXHTS:
8542320299
ECCN:
3A991.b.2.a

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.

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