IS42S32800J-7BLI

ISSI
870-42S32800J7BLI
IS42S32800J-7BLI

제조업체:

설명:
DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT

ECAD 모델:
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수량 단가
합계
₩12,476.4 ₩12,476
₩11,603.2 ₩116,032
₩11,248 ₩281,200
₩10,981.6 ₩549,080

제품 속성 속성 값 속성 선택
ISSI
제품 카테고리: DRAM
RoHS:  
SDRAM
256 Mbit
32 bit
143 MHz
BGA-90
8 M x 32
6.5 ns
3 V
3.6 V
- 40 C
+ 85 C
IS42S32800J
브랜드: ISSI
COA(최종 조립 국가): Not Available
COD(확산 공정 국가): Not Available
COO(원산지): TW
습도에 민감: Yes
장착 스타일: SMD/SMT
제품 유형: DRAM
팩토리 팩 수량: 240
하위 범주: Memory & Data Storage
공급 전류 - 최대: 170 mA
단위 중량: 1.865 g
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

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CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320024
JPHTS:
854232021
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

3.3V Single Data Rate (SDR) Synchronous DRAM

ISSI 3.3V Single Data Rate (SDR) Synchronous DRAM provides a wide selection of SDR SDRAM with densities from 16Mbit to 512Mbit in 1Mx16, 4Mx16, and 8Mx16 organizations. Each device features a single supply voltage (3.3V +/-0.3V), standard SDRAM clock timing, LVTTL compatible inputs, programmable burst length of 1, 2, 4, 8, or full page, auto-refresh and self-refresh modes. ISSI 3.3V SDR Synchronous DRAM has a programmable CAS latency of 2 or 3. Typical applications for these devices include wireless access points, base stations, routers, network storage, energy management, industrial controls, car infotainment, and automotive telematics.