IS42S16400N-7BL

Name: ISSI IS42S16400N-7BL
Brand: ISSI
SKU: 870-IS42S16400N-7BL
Price: 4306 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

870-IS42S16400N-7BL

제조업체 번호:

IS42S16400N-7BL

제조업체:

ISSI

설명:

DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 143 Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS

라이프사이클:

신제품:

이 제조업체의 새로운 제품입니다.

데이터시트:

IS42S16400N-7BL 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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단가:

₩-

합계:

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가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩4,306.8	₩4,307
	₩4,025.6	₩40,256
	₩3,907.2	₩97,680
	₩3,818.4	₩190,920
	₩3,729.6	₩372,960

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	ISSI
제품 카테고리:	DRAM
RoHS:
타입:	SDRAM
메모리 크기:	64 Mbit
데이터 버스 너비:	16 bit
최대 클록 주파수:	143 MHz
패키지/케이스:	BGA-54
조직:	4 M x 16
액세스 시간:	5.4 ns
공급 전압 - 최소:	3 V
공급 전압 - 최대:	3.6 V
최저 작동온도:	0 C
최고 작동온도:	+ 70 C
브랜드:	ISSI
COA(최종 조립 국가):	Not Available
COD(확산 공정 국가):	Not Available
COO(원산지):	TW
습도에 민감:	Yes
장착 스타일:	SMD/SMT
제품 유형:	DRAM
팩토리 팩 수량:	348
하위 범주:	Memory & Data Storage
공급 전류 - 최대:	70 mA

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

IS42S16400N-7BL 데이터시트 (PDF)

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CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320002
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

3.3V Single Data Rate (SDR) Synchronous DRAM

ISSI 3.3V Single Data Rate (SDR) Synchronous DRAM provides a wide selection of SDR SDRAM with densities from 16Mbit to 512Mbit in 1Mx16, 4Mx16, and 8Mx16 organizations. Each device features a single supply voltage (3.3V +/-0.3V), standard SDRAM clock timing, LVTTL compatible inputs, programmable burst length of 1, 2, 4, 8, or full page, auto-refresh and self-refresh modes. ISSI 3.3V SDR Synchronous DRAM has a programmable CAS latency of 2 or 3. Typical applications for these devices include wireless access points, base stations, routers, network storage, energy management, industrial controls, car infotainment, and automotive telematics.