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IRF540ZPBF

Name: Infineon IRF540ZPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 942-IRF540ZPBF
Price: 1007 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

942-IRF540ZPBF

제조업체 번호:

IRF540ZPBF

제조업체:

Infineon Technologies

설명:

MOSFET MOSFT 100V 36A 26.5mOhm 42nC Qg

데이터시트:

IRF540ZPBF 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 3,898

재고:: 3,898

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주문 중:: 2,000

예상 2026-03-18

17,000

예상 2026-04-02
공장 리드 타임:: 17

주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩1,007.4	₩1,007
	₩859.9	₩8,599
	₩801.5	₩80,150
	₩725.6	₩362,800
	₩657	₩657,000
	₩632.2	₩3,161,000
	₩619	₩15,475,000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Infineon
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	Through Hole
패키지/케이스:	TO-220-3
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	100 V
Id - 연속 드레인 전류:	36 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	26.5 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	2 V
Qg - 게이트 전하:	42 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	92 W
채널 모드:	Enhancement
포장:	Tube
브랜드:	Infineon Technologies
구성:	Single
제품 유형:	MOSFETs
팩토리 팩 수량:	1000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
단위 중량:	2 g

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

IRF540ZPBF 데이터시트 (PDF)

Models

Product Catalogs

SPICE Models

Spice Model - IRF540Z

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KRHTS:: 8541299000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IRF540N/Z Advanced HEXFET® Power MOSFETs

Infineon IRF540N/Z Advanced HEXFET® Power MOSFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed, ruggedized device design, and 175°C junction operating temperature that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.