IR4426STRPBF

Infineon Technologies
942-IR4426STRPBF
IR4426STRPBF

제조업체:

설명:
게이트 드라이버 25V dual low-side ,3.3A,85ns,DSO-8

ECAD 모델:
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합계
컷 테이프/MouseReel™
₩2,584.2 ₩2,584
₩1,898 ₩18,980
₩1,722.8 ₩43,070
₩1,533 ₩153,300
₩1,443.9 ₩360,975
₩1,389.9 ₩694,950
₩1,344.7 ₩1,344,700
전체 릴(2500의 배수로 주문)
₩1,213.3 ₩3,033,250
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대체 포장

제조업체 부품 번호:
포장:
Tube
구매 가능 정보:
재고 상태
가격:
₩5,679
최소:
1

제품 속성 속성 값 속성 선택
Infineon
제품 카테고리: 게이트 드라이버
RoHS:  
IGBT, MOSFET Gate Drivers
Low-Side
SMD/SMT
SOIC-8
2 Driver
2 Output
1.5 A
6 V
20 V
Inverting
15 ns
10 ns
- 40 C
+ 125 C
IR(S)442X
Reel
Cut Tape
MouseReel
브랜드: Infineon Technologies
로직 타입: CMOS, LSTTL
최대 턴-오프 지연 시간: 150 ns
최대 턴-온 지연 시간: 160 ns
습도에 민감: Yes
작동 공급 전류: 100 uA
Pd - 전력 발산: 625 mW
제품 유형: Gate Drivers
전파 지연 - 최대: 160 ns
차단: No Shutdown
팩토리 팩 수량: 2500
하위 범주: PMIC - Power Management ICs
기술: Si
상표명: EiceDRIVER
단위 중량: 540 mg
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KRHTS:
8542311000
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542310000
USHTS:
8542310075
TARIC:
8542319000
MXHTS:
8542310302
ECCN:
EAR99

EiceDRIVER™ 로우 측 게이트 드라이버 IC

Infineon EiceDRIVER™ 로우 측 게이트 드라이버 IC는 고전압 게이트 드라이버의 견고한 기술과 최첨단 0.13µM 프로세스의 저전압 회로를 활용합니다. 이러한 Infineon 제작 기법을 사용하면 업계 표준 DSO-8, 소형 폼 팩터 SOT-23 및 WSON 패키지로 제공되는 고전력 밀도 애플리케이션을 위한 고전류 게이트 드라이버를 구현할 수 있습니다. 이 드라이버는 출력 전류, 로직 구성, 패키지 및 보호  기능을 위한 유연한 옵션이 있는 포괄적 인 단일 로우 측 및 이중 로우 측 게이트 드라이버 IC 제품군입니다. 보호 기능으로는 UVLO(부족전압 로크아웃), 통합 OCP(과전류 보호) 및 TDI(완전 차동 입력)을 들 수 있습니다. 이러한 기능은 자동차 인증 장치에서도 제공됩니다.

소형 가전 솔루션

Infineon 소형 가전 솔루션은 소형 가전 응용 제품에 적합한 많은 장치와 솔루션을 제공합니다. 스타일과 효율성에 대한 추세가 증가하고 있으며, 설계자들은 그러한 추세를 수 없이 다양하게 다루고 있습니다. 에너지 효율적이고 현대적이며 깨끗하고 밀폐된 표면은 설계 엔지니어가 고려해야 할 몇 가지 특징 일뿐입니다. Infineon은 유도 가열과 같은 여러 핵심 영역뿐만 아니라 에너지 효율적인 통합 전원 장치가 있는 모터 제어 솔루션이 필요한 기기를 위한 솔루션을 제공합니다.

IR256xx 600V HVICs

Infineon IR256xx Robust General Purpose 600V High-Voltage ICs (HVICs) include dual low-side drivers, half-bridge drivers, and high- and low-side drivers that can be incorporated into a variety of consumer applications, including automotive after-market, lighting, and consumer-level appliances as well as motor control systems. IR256xx HVICs are designed using Infineon's highly robust Gen 2 process for high reliability and ruggedness.

EiceDRIVER™ 게이트 드라이버 IC

Infineon EiceDRIVER™ 게이트 드라이버 IC는 MOSFET, IGBT, SiC MOSFET 및 GaN HEMT 장치용으로 설계되었습니다. EiceDRIVERTM™ 게이트 드라이버는 0.1A에서 최대 10A까지 광범위한 일반 출력 전류 옵션을 제공합니다. 이 장치는 DESAT(빠른 단락 보호), 능동 밀러 클램프, 슛스루 보호, 결함, 셧다운 및 과전류 보호와 같은 강력한 게이트 드라이브 보호 기능을 갖추고 있습니다. 이러한 특징 덕분에 이 드라이버 IC는 CoolGaN™ 및 CoolSiC™ 를 포함한 실리콘 및 와이드 밴드갭 전원 장치 모두에 매우 적합합니다. 이것이 바로 Infineon이 모든 전원 스위치와 모든 애플리케이션에 적합한 500개 이상의 EiceDRIVER™ 게이트 드라이버 IC 솔루션을 제공하는 이유입니다.