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IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1

Name: Infineon IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IQEH80NE2LM7UCGS
Price: 3898 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

726-IQEH80NE2LM7UCGS

제조업체 번호:

IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1

제조업체:

Infineon Technologies

설명:

MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

라이프사이클:

신제품:

이 제조업체의 새로운 제품입니다.

데이터시트:

IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 4,792

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수량	단가	합계
	₩3,898.2	₩3,898
	₩2,496.6	₩24,966
	₩1,693.6	₩169,360
	₩1,417.7	₩708,850
	₩1,246.8	₩1,246,800
	₩1,154.9	₩2,887,250
전체 릴(6000의 배수로 주문)
	₩1,074.6	₩6,447,600

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Infineon
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	25 V
Id - 연속 드레인 전류:	282 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	800 uOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	16 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	2 V
Qg - 게이트 전하:	17.2 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	107 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	OptiMOS
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
브랜드:	Infineon Technologies
구성:	Single
하강 시간:	2.7 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	50 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	1.4 ns
시리즈:	OptiMOS 7
팩토리 팩 수량:	6000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	20.1 ns
표준 턴-온 지연 시간:	5.4 ns
부품번호 별칭:	IQEH80NE2LM7UCGSC SP006008718

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1 데이터시트 (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

N채널 OptiMOS™ 7 전력 MOSFET

Infineon Technologies N채널 OptiMOS™ 7 전력 MOSFET은 까다로운 전력 변환 애플리케이션을 위해 설계된 고성능 N채널 트랜지스터입니다. 이 MOSFET은 매우 낮은 온 저항, 우수한 열 저항, dv/dt 견고성을 위한 뛰어난 밀러 비율을 제공합니다. OptiMOS™ 7 전력 MOSFET은 하드 스위칭 및 소프트 스위칭 토폴로지와 FOM_oss에 모두 최적화되어 있습니다. 이 MOSFET은 100% 애벌런치 테스트를 거쳤으며 RoHS 규정을 준수합니다. OptiMOS™ 7 전력 MOSFET은 IEC61249‑2‑21에 따라 무할로겐 제품입니다.

N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class-leading power MOSFETs for the highest power density and energy-efficient solutions. Ultra-low gate and output charges, together with the lowest on-state resistance in small footprint packages, make ideal choices for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Superfast switching Control FETs, together with low EMI Sync FETs, provide solutions that are easy to design. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs provide excellent gate charge and are optimized for DC-DC conversion.