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IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1

Name: Infineon IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IQEH46NE2LM7ZCGS
Price: 4818 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

726-IQEH46NE2LM7ZCGS

제조업체 번호:

IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1

제조업체:

Infineon Technologies

설명:

MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

라이프사이클:

신제품:

이 제조업체의 새로운 제품입니다.

데이터시트:

IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 1,081

재고:: 1,081

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가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩4,818	₩4,818
	₩3,139	₩31,390
	₩2,394.4	₩239,440
	₩2,014.8	₩1,007,400
	₩1,722.8	₩1,722,800
	₩1,635.2	₩4,088,000
전체 릴(6000의 배수로 주문)
	₩1,533	₩9,198,000

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Infineon
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	25 V
Id - 연속 드레인 전류:	430 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	480 uOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	12 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	1.7 V
Qg - 게이트 전하:	29 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	150 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	OptiMOS
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
브랜드:	Infineon Technologies
구성:	Single
하강 시간:	5.2 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	100 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	2 ns
시리즈:	OptiMOS 7
팩토리 팩 수량:	6000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	35 ns
표준 턴-온 지연 시간:	5.9 ns
부품번호 별칭:	IQEH46NE2LM7ZCGSC SP006008736

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1 데이터시트 (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class-leading power MOSFETs for the highest power density and energy-efficient solutions. Ultra-low gate and output charges, together with the lowest on-state resistance in small footprint packages, make ideal choices for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Superfast switching Control FETs, together with low EMI Sync FETs, provide solutions that are easy to design. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs provide excellent gate charge and are optimized for DC-DC conversion.

N채널 OptiMOS™ 7 전력 MOSFET

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