IPW95R310PFD7XKSA1

Infineon Technologies
726-IPW95R310PFD7XKS
IPW95R310PFD7XKSA1

제조업체:

설명:
MOSFET LOW POWER_NEW

데이터시트:
ECAD 모델:
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예상 2026-03-06
공장 리드 타임:
13
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단가:
₩-
합계:
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수량 단가
합계
₩5,120.8 ₩5,121
₩4,913.6 ₩49,136
₩2,752.8 ₩68,820
₩2,294 ₩229,400
₩2,190.4 ₩525,696
₩1,835.2 ₩880,896
₩1,687.2 ₩2,024,640

제품 속성 속성 값 속성 선택
Infineon
제품 카테고리: MOSFET
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
950 V
17.5 A
310 mOhms
- 30 V, 30 V
3.5 V
61 nC
- 55 C
+ 150 C
125 W
Enhancement
Tube
브랜드: Infineon Technologies
구성: Single
하강 시간: 4 ns
제품 유형: MOSFETs
상승 시간: 10 ns
팩토리 팩 수량: 240
하위 범주: Transistors
표준 턴-오프 지연 시간: 61 ns
표준 턴-온 지연 시간: 13 ns
부품번호 별칭: SP005547006
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

데이터시트

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFET

Infineon Technologies 950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFET은 SJ(초접합) 기술을 제공합니다. SJ 기술은 동급 최고의 성능과 최첨단 사용 편의성을 통합하여 조명 및 산업용 SMPS 애플리케이션에 이상적입니다. PFDJ는 최저 Qrr(역회복 전하)로 공진 토폴로지에서 사용할 수 있는 통합 초고속 바디 다이오드를 제공합니다.

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