IPW95R130PFD7XKSA1

Infineon Technologies
726-IPW95R130PFD7XKS
IPW95R130PFD7XKSA1

제조업체:

설명:
MOSFET HIGH POWER_NEW

데이터시트:
ECAD 모델:
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추가 정보
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단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:

가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩7,740.4 ₩7,740
₩7,681.2 ₩76,812
₩4,721.2 ₩118,030
₩4,188.4 ₩418,840
₩3,936.8 ₩944,832
₩3,788.8 ₩1,818,624
5,040 견적

제품 속성 속성 값 속성 선택
Infineon
제품 카테고리: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
950 V
36.5 A
130 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
141 nC
- 55 C
+ 150 C
227 W
Enhancement
Tube
브랜드: Infineon Technologies
구성: Single
하강 시간: 3.6 ns
제품 유형: MOSFETs
상승 시간: 14 ns
시리즈: IPW95R130PFD7
팩토리 팩 수량: 240
하위 범주: Transistors
표준 턴-오프 지연 시간: 118 ns
표준 턴-온 지연 시간: 25 ns
부품번호 별칭: IPW95R130PFD7 SP005547004
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

데이터시트

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFET

Infineon Technologies 950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFET은 SJ(초접합) 기술을 제공합니다. SJ 기술은 동급 최고의 성능과 최첨단 사용 편의성을 통합하여 조명 및 산업용 SMPS 애플리케이션에 이상적입니다. PFDJ는 최저 Qrr(역회복 전하)로 공진 토폴로지에서 사용할 수 있는 통합 초고속 바디 다이오드를 제공합니다.

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