IPTC068N20NM6ATMA1

Infineon Technologies
726-IPTC068N20NM6ATM
IPTC068N20NM6ATMA1

제조업체:

설명:
MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

라이프사이클:
신제품:
이 제조업체의 새로운 제품입니다.
ECAD 모델:
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재고:
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단가:
₩-
합계:
₩-
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가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩10,409.8 ₩10,410
₩8,730.8 ₩87,308
₩7,285.4 ₩728,540
₩6,424 ₩3,212,000
₩5,299.8 ₩5,299,800
전체 릴(1800의 배수로 주문)
₩5,299.8 ₩9,539,640

제품 속성 속성 값 속성 선택
Infineon
제품 카테고리: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
200 V
140 A
6.8 mOhms
20 V
4.5 V
71 nC
- 55 C
+ 175 C
319 W
Enhancement
OptiMOS
Reel
Cut Tape
브랜드: Infineon Technologies
구성: Single
하강 시간: 9 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소: 33 S
제품 유형: MOSFETs
상승 시간: 15 ns
팩토리 팩 수량: 1800
하위 범주: Transistors
트랜지스터 타입: 1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간: 28 ns
표준 턴-온 지연 시간: 19 ns
부품번호 별칭: IPTC068N20NM6 SP006063004
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속성 선택됨: 0

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

OptiMOS™ 6 200 V 전력 MOSFET

Infineon Technologies OptiMOS™6200 V전력 MOSFET은PG-TO263-3PG-TO220-3PG-HDSOP-16패키지로 제공되는 N 채널 일반 레벨 MOSFET입니다. 이 MOSFET은 뛰어난 게이트 전하 x RDS(on) 제품(FOM), 매우 낮은 역회복 전하(Qrr), 낮은 온 저항 RDS(on)을 특징으로 합니다. OptiMOS™6200 VMOSFET은175 °C온도에서 작동합니다. 이 MOSFET은 J-STD-020 표준에 따라 분류된 무할로겐(IEC61249-2-21) 및 습기 민감도 수준(MSL1) 에 따라 무할로겐 제품입니다. OptiMOS™6200 VMOSFET은 재생 에너지, 모터 제어, 오디오 증폭기 및 산업용 애플리케이션에 이상적입니다.

OptiMOS™ 6 전력 MOSFET

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 전력 MOSFET은 차세대 최첨단 혁신 기술과 동급 최고의 성능을 제공합니다. OptiMOS 6 제품군은 박형 웨이퍼 기술을 활용하여 상당한 성능 향상을 실현합니다. OptiMOS 6 전력 MOSFET은 다른 제품 대비 RDS(ON)이 30% 낮으며 동기 정류에 최적화되어 있습니다. 이 MOSFET은 40V, 100V, 120V, 135V, 150V, 200V 등 다양한 전압 노드로 제공됩니다.