브라우저에서 자바스크립트를 사용하지 않도록 설정한 것으로 보입니다. 로그인하지 않으면 이 페이지의 일부 기능이 작동하지 않습니다.

IPI086N10N3 G

Name: Infineon IPI086N10N3 G
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPI086N10N3G
Price: 3344 KRW
Availability: OutOfStock

이미지는 참조용으로만 사용하십시오
제품 사양을 참조하세요

Mouser 번호:

726-IPI086N10N3G

제조업체 번호:

IPI086N10N3 G

제조업체:

Infineon Technologies

설명:

MOSFET N-Ch 100V 80A I2PAK-3 OptiMOS 3

데이터시트:

IPI086N10N3 G 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기

추가 정보

Infineon Technologies IPI086N10N3 G에 대해 자세히 알아보십시오.

구매 가능 정보

재고:: 0

이 제품을 이월 주문으로 여전히 구매하실 수 있습니다.

예기치 않은 오류가 발생했습니다. 나중에 다시 시도하십시오.
주문 중:: 2,000

예상 2026-03-06
공장 리드 타임:: 8

주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩3,344.8	₩3,345
	₩1,628	₩16,280
	₩1,428.2	₩142,820
	₩1,118.9	₩559,450
	₩962	₩962,000
	₩922	₩4,610,000
25,000	견적

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Infineon
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	Through Hole
패키지/케이스:	TO-262-3
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	100 V
Id - 연속 드레인 전류:	80 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	8.2 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	2.7 V
Qg - 게이트 전하:	55 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	125 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	OptiMOS
포장:	Tube
브랜드:	Infineon Technologies
구성:	Single
하강 시간:	8 ns
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	42 ns
시리즈:	OptiMOS 3
팩토리 팩 수량:	500
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	31 ns
표준 턴-온 지연 시간:	18 ns
부품번호 별칭:	SP000683070 IPI86N1N3GXK IPI086N10N3GXKSA1
단위 중량:	2.387 g

제품을 찾음:

유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

IPI086N10N3 G 데이터시트 (PDF)

Product Catalogs

이 기능을 활성화하려면 자바스크립트가 필요합니다.

KRHTS:: 8541299000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

IRF540N/Z Advanced HEXFET® Power MOSFETs

Infineon IRF540N/Z Advanced HEXFET® Power MOSFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed, ruggedized device design, and 175°C junction operating temperature that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.