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IPD048N06L3GATMA1

Name: Infineon IPD048N06L3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-PD048N06L3GATMA1
Price: 2693 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

726-PD048N06L3GATMA1

제조업체 번호:

IPD048N06L3GATMA1

제조업체:

Infineon Technologies

설명:

MOSFET IFX FET 60V

데이터시트:

IPD048N06L3GATMA1 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 5,863

재고:: 5,863 즉시 배송 가능

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공장 리드 타임:: 20 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(2500의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩2,693.6	₩2,694
	₩1,761.2	₩17,612
	₩1,182.5	₩118,250
	₩936.8	₩468,400
	₩864.3	₩864,300
전체 릴(2500의 배수로 주문)
	₩747.4	₩1,868,500
	₩706	₩3,530,000

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Infineon
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	DPAK-3 (TO-252-3)
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	60 V
Id - 연속 드레인 전류:	90 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	4.8 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	1.2 V
Qg - 게이트 전하:	37 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	115 W
채널 모드:	Enhancement
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Infineon Technologies
구성:	Single
하강 시간:	12 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	125 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	5 ns
시리즈:	XPD048N06
팩토리 팩 수량:	2500
하위 범주:	Transistors
표준 턴-오프 지연 시간:	56 ns
표준 턴-온 지연 시간:	11 ns
부품번호 별칭:	IPD048N06L3 G SP005559924

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

IPD048N06L3GATMA1 데이터시트 (PDF)

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

OptiMOS™ 3 N-채널 MOSFET

Infineon Technologies OptiMOS™ 3 N-채널 MOSFET은 SuperSO8 무연 패키지에서 낮은 온 상태 저항이 특징입니다. OptiMOS 3 MOSFET은 산업, 소비자 가전 및 통신 애플리케이션에서 전력 밀도를 최대 50% 높여줍니다.OptiMOS™ 3은 40V, 60V 및 80V N-채널 MOSFET으로 제공되며 Superso8 및 Shrink SuperSO8(S3O8) 패키지로 제공됩니다. SuperSO8은 표준 TO(Transistor Outline) 패키지에 비해 전력 밀도를 50% 높여줍니다.