IPB95R450PFD7ATMA1

Infineon Technologies
726-IPB95R450PFD7ATM
IPB95R450PFD7ATMA1

제조업체:

설명:
MOSFET LOW POWER_NEW

데이터시트:
ECAD 모델:
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₩1,417.8 ₩2,835,600

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Infineon
제품 카테고리: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
950 V
13.3 A
450 mOhms
- 30 V, 30 V
3.5 V
43 nC
- 55 C
+ 150 C
104 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
브랜드: Infineon Technologies
구성: Single
하강 시간: 4.7 ns
제품 유형: MOSFETs
상승 시간: 8.7 ns
팩토리 팩 수량: 1000
하위 범주: Transistors
표준 턴-오프 지연 시간: 45 ns
표준 턴-온 지연 시간: 9 ns
부품번호 별칭: IPB95R450PFD7 SP005547014
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속성 선택됨: 0

데이터시트

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFET

Infineon Technologies 950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFET은 SJ(초접합) 기술을 제공합니다. SJ 기술은 동급 최고의 성능과 최첨단 사용 편의성을 통합하여 조명 및 산업용 SMPS 애플리케이션에 이상적입니다. PFDJ는 최저 Qrr(역회복 전하)로 공진 토폴로지에서 사용할 수 있는 통합 초고속 바디 다이오드를 제공합니다.

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