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IPB175N20NM6ATMA1

Name: Infineon IPB175N20NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPB175N20NM6ATMA
Price: 5535 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

726-IPB175N20NM6ATMA

제조업체 번호:

IPB175N20NM6ATMA1

제조업체:

Infineon Technologies

설명:

MOSFET OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V

라이프사이클:

신제품:

이 제조업체의 새로운 제품입니다.

데이터시트:

IPB175N20NM6ATMA1 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 684

재고:: 684 즉시 배송 가능

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공장 리드 타임:: 52 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩5,535.2	₩5,535
	₩3,626	₩36,260
	₩2,545.6	₩254,560
	₩2,249.6	₩1,124,800
전체 릴(1000의 배수로 주문)
	₩2,101.6	₩2,101,600

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Infineon
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	TO-263-3
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	200 V
Id - 연속 드레인 전류:	61 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	15.5 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	4.5 V
Qg - 게이트 전하:	31 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	203 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	OptiMOS
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
브랜드:	Infineon Technologies
구성:	Single
COA(최종 조립 국가):	Not Available
COD(확산 공정 국가):	Not Available
COO(원산지):	AT
하강 시간:	9.8 ns
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	23 ns
시리즈:	OptiMOS 6
팩토리 팩 수량:	1000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	23 ns
표준 턴-온 지연 시간:	12 ns
부품번호 별칭:	IPB175N20NM6 SP006070078

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

IPB175N20NM6ATMA1 데이터시트 (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

OptiMOS™ 6 200 V 전력 MOSFET

Infineon Technologies OptiMOS™6200 V전력 MOSFET은PG-TO263-3PG-TO220-3PG-HDSOP-16패키지로 제공되는 N 채널 일반 레벨 MOSFET입니다. 이 MOSFET은 뛰어난 게이트 전하 x RDS_(on)제품(FOM), 매우 낮은 역회복 전하(Qrr), 낮은 온 저항 RDS_(on)을 특징으로 합니다. OptiMOS™6200 VMOSFET은175 °C온도에서 작동합니다. 이 MOSFET은 J-STD-020 표준에 따라 분류된 무할로겐(IEC61249-2-21) 및 습기 민감도 수준(MSL1) 에 따라 무할로겐 제품입니다. OptiMOS™6200 VMOSFET은 재생 에너지, 모터 제어, 오디오 증폭기 및 산업용 애플리케이션에 이상적입니다.