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IKW08N120CS7XKSA1

Name: Infineon IKW08N120CS7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKW08N120CS7XKSA
Price: 6319 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

726-IKW08N120CS7XKSA

제조업체 번호:

IKW08N120CS7XKSA1

제조업체:

Infineon Technologies

설명:

IGBT 1200 V, 8 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package

데이터시트:

IKW08N120CS7XKSA1 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 7

재고:: 7

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주문 중:: 240

예상 2026-03-12
공장 리드 타임:: 14

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최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

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가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩6,319.6	₩6,320
	₩3,552	₩35,520
	₩2,752.8	₩275,280
	₩2,353.2	₩1,129,536
	₩2,308.8	₩2,770,560
	₩2,220	₩5,860,800

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Infineon
제품 카테고리:	IGBT
기술:	Si
패키지/케이스:	TO-247-3
장착 스타일:	Through Hole
구성:	Single
콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO:	1.2 kV
콜렉터-이미터 포화 전압:	1.65 V
최대 게이트 이미터 전압:	- 20 V, 20 V
25 C의 지속적인 컬렉터 전류:	21 A
Pd - 전력 발산:	106 W
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 175 C
시리즈:	IGBT7 S7
포장:	Tube
브랜드:	Infineon Technologies
게이트-이미터 누설 전류:	100 nA
제품 유형:	IGBT Transistors
팩토리 팩 수량:	240
하위 범주:	IGBTs
상표명:	TRENCHSTOP
부품번호 별칭:	IKW08N120CS7 SP005419704

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데이터시트

IKW08N120CS7XKSA1 데이터시트 (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

IGBT7 Discretes

Infineon Technologies IGBT7 디스크리트는 마이크로 패턴 트렌치 기술로 제작된 7세대 TRENCHSTOP™IGBT입니다. 이 첨단 기술은 탁월한 제어 및 성능을 제공하여 애플리케이션에서 상당한 손실 감소, 효율성 향상 및 전력 밀도 증가를 가져옵니다.

1200V Gen8 IGBTs

Infineon 1200V Gen8 IGBTs feature trench gate field stop technology delivered in industry standard TO-247 packages to provide best-in-class performance for industrial and energy-saving applications. The Gen8 technology offers softer turn-off characteristics ideal for motor drive applications, minimizing dv/dt to reduce EMI, and over-voltage, increasing reliability and ruggedness. Infineon 1200V Gen8 IGBTs have current ratings from 8A up to 60A with typical VCE(ON) of 1.7V, and a short-circuit rating of 10µs to reduce power dissipation, resulting in increased power density and robustness. Using thin wafer technology, 1200V Gen8 IGBTs deliver improved thermal resistance and maximum junction temperature up to +175°C.

TRENCHSTOP™ IGBT7 디스크리트 및 모듈

Infineon Technologies TRENCHSTOP™ IGBT7 디스크리트 및 모듈은 가변 속도 드라이브를 위해 설계되었습니다. 모든 산업용 드라이브의 절반이라도 전기 속도 제어가 가능하다면 20%의 에너지 혹은 1700만 톤의 CO₂ 를 절약할 수 있습니다. Infineon은 TRENCHSTOP IGBT7 기술로 이 스위치를 용이하게 합니다.

TRENCHSTOP™ IGBT7 S7

Infineon Technologies TRENCHSTOP™ IGBT7 S7은 단락 성능/견고성이 필요한 모든 산업용 애플리케이션을 위한 광범위한 1200V 포트폴리오를 제공합니다. IGBT7S7은 다른 IGBT보다 최소 10% 낮은 포화 전압을 제공하는 효율적인 단락 견고한 이산 IGBT입니다.