IGW40N60H3

Infineon Technologies
726-IGW40N60H3
IGW40N60H3

제조업체:

설명:
IGBT 600V 40A 306W

ECAD 모델:
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재고 상태: 235

재고:
235
즉시 배송 가능
주문 중:
240
예상 2026-05-26
공장 리드 타임:
19
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최소: 1   배수: 1
단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:

가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩7,400 ₩7,400
₩3,803.6 ₩38,036
₩3,463.2 ₩346,320
₩2,738 ₩1,314,240
10,080 견적

제품 속성 속성 값 속성 선택
Infineon
제품 카테고리: IGBT
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
600 V
1.95 V
- 20 V, 20 V
80 A
306 W
- 40 C
+ 175 C
HighSpeed 3
Tube
브랜드: Infineon Technologies
게이트-이미터 누설 전류: 100 nA
제품 유형: IGBT Transistors
팩토리 팩 수량: 240
하위 범주: IGBTs
상표명: TRENCHSTOP
부품번호 별칭: SP000769926 IGW4N6H3XK IGW40N60H3FKSA1
단위 중량: 6.500 g
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속성 선택됨: 0

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KRHTS:
8541299000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

High Speed Trench & Fieldstop IGBTs

Infineon High Speed Trench & Fieldstop IGBTs use TrenchStop™ and Fieldstop technology to provide superb switching performance, very low VCEsat, and low EMI. Infineon High Speed Trench & Fieldstop IGBTs are ideal for uninterruptible power supplies applications. The IGW25N120H3 IGBT is recommended in combination with SiC Diode IDH15S120 and is also used for solar inverter applications. The IKW15N120H3, IKW30N60H3, and IKW20N60H3 IGBTs are each part of a high speed DuoPack and come with a very soft, fast recovery anti-parallel diode.