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IGT65R025D2ATMA1

Name: Infineon IGT65R025D2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGT65R025D2ATMA1
Price: 17111 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

726-IGT65R025D2ATMA1

제조업체 번호:

IGT65R025D2ATMA1

제조업체:

Infineon Technologies

설명:

GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5

라이프사이클:

신제품:

이 제조업체의 새로운 제품입니다.

데이터시트:

IGT65R025D2ATMA1 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 1,473

재고:: 1,473

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예상 2026-04-02
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최소: 1 배수: 1

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₩-

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₩-

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가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩17,111.2	₩17,111
	₩13,928.4	₩139,284
	₩11,607	₩1,160,700
	₩10,351.4	₩5,175,700
	₩9,738.2	₩9,738,200
전체 릴(2000의 배수로 주문)
	₩8,263.6	₩16,527,200

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Infineon
제품 카테고리:	GaN FET
RoHS:
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	PG-HSOF-8
트랜지스터 극성:	HEMT
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	650 V
Id - 연속 드레인 전류:	70 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	30 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 10 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	1.6 V
Qg - 게이트 전하:	11 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	236 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	CoolGaN
브랜드:	Infineon Technologies
구성:	Single
하강 시간:	9 ns
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
제품:	Transistors
제품 유형:	GaN FETs
상승 시간:	12 ns
시리즈:	650V G5
팩토리 팩 수량:	2000
하위 범주:	Transistors
기술:	GaN
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
타입:	CoolGaN Transistor
표준 턴-오프 지연 시간:	18 ns
표준 턴-온 지연 시간:	11 ns
부품번호 별칭:	IGT65R025D2 SP006026239

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문서 필터:

데이터시트

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolGaN™650 VG5 트랜지스터

Infineon Technologies CoolGaN™ 650V G5 트랜지스터는 전력 변환용으로 고효율 GaN(질화갈륨) 트랜지스터 기술을 적용한 제품입니다. 650 VG5 제품군은 소비자, 데이터 센터, 산업 및 태양광 애플리케이션의 문제를 해결합니다. 트랜지스터는 초고속 스위칭 기능으로 향상된 시스템 효율성과 전력 밀도를 제공합니다. 쿨가엔기술은 전반적인 시스템 성능을 향상하도록 설계된 개별 및 통합 솔루션을 제공합니다. Infineon Technologies CoolGaN650 VG5 트랜지스터는 높은 작동 주파수를 지원하고 EMI 등급을 낮춥니다. 이 트랜지스터는 배전, 스위치 모드 전원 공급 장치(SMPS), 통신 및 기타 산업용 애플리케이션에 적합합니다.