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IDW40G65C5BXKSA2

Name: Infineon IDW40G65C5BXKSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IDW40G65C5BXKSA2
Price: 20016 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

726-IDW40G65C5BXKSA2

제조업체 번호:

IDW40G65C5BXKSA2

제조업체:

Infineon Technologies

설명:

SiC 쇼트키 다이오드 SIC DIODES

데이터시트:

IDW40G65C5BXKSA2 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 187

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단가:

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가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩20,016.6	₩20,017
	₩14,293.4	₩142,934
	₩12,264	₩1,226,400
	₩9,869.6	₩4,737,408

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Infineon
제품 카테고리:	SiC 쇼트키 다이오드
RoHS:
장착 스타일:	Through Hole
패키지/케이스:	TO-247-3
구성:	Single
If - 순방향 전류:	40 A
Vrrm - 반복 역 전압:	650 V
Vf - 순방향 전압:	1.5 V
If - 순방향 서지 전류:	182 A
Ir - 역 전류:	2.2 uA
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
시리즈:	XDW40G65
포장:	Tube
브랜드:	Infineon Technologies
Pd - 전력 발산:	183 W
제품 유형:	SiC Schottky Diodes
팩토리 팩 수량:	240
하위 범주:	Diodes & Rectifiers
상표명:	CoolSiC
Vr - 역 전압:	650 V
부품번호 별칭:	IDW40G65C5B SP001633192
단위 중량:	6 g

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Test/Quality Data

MCDS_2015-08-14_04-13-51_MA001225322_PG-TO247-3-41.pdf (PDF)

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KRHTS:: 8541109000
CNHTS:: 8541590000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100199
BRHTS:: 85411099
ECCN:: EAR99

탄화 규소 CoolSiC™ MOSFET 및 다이오드

Infineon 탄화 규소 CoolSiC™ MOSFET 및 다이오드는 더욱 스마트하고 효율적인 에너지 발전, 전송 및 소비에 대한 요구 사항을 해결하는 포트폴리오를 제공합니다. 가장 높은 품질의 표준을 충족하고 긴 시스템 수명을 제공하며 신뢰성을 보장하는 동시에 중간-고전력 시스템의 감소된 크기와 비용에 대한 요구를 해결합니다. CoolSiC를 사용하면 운영 시스템 비용이 감소되어 가장 엄격한 효율성 목표에 도달할 수 있습니다. 이 포트폴리오는 CoolSiC SCHOTTKY 다이오드, CoolSiC 하이브리드 모듈, CoolSiC MOSFET 모듈 및 이산, 실리콘 카바이드 장치 구동을 위한 EiceDRIVER™ 게이트 드라이버 IC로 구성됩니다.

Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes

Infineon Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes deliver market-leading efficiency at an attractive cost point. Infineon’s proprietary diffusion soldering process, already introduced with Generation 3, is now combined with a new, more compact design as well as the latest advancements in thin wafer technology, bringing improved thermal characteristics and lower Figures of Merit (Q_c x V_f).

전력의 차이 경험

인피니언은 전력 반도체 시장을 주도하고 있는 선도 기업입니다. 20년 이상의 경험과 혁신적인 CoolMOSTM™ 초접합 MOSFET 기술의 혁신 기업으로서, Infineon은 전력 관리 분야를 계속해서 개척하고 있습니다. 고객은 업계에서 가장 광범위한 실리콘 기반 SJ MOSFET 포트폴리오에서 개별 설계/시스템 요구 사항을 기반으로 선택할 수 있습니다. 3가지 주요 전력 기술을 모두 갖춘 소수의 제조 업체 중 하나인 Infineon은 획기적인 WBG(와이드 밴드 갭) 솔루션으로 이러한 분류를 보완합니다. 이 제품은 실리콘 카바이드 기반 CoolSiC™ MOSFET, 정합 다이오드 및 질화 갈륨 기반 CoolGaN™ E-모드 HEMT로 구성됩니다. 탁월한 가격 성능부터 최고의 견고성에 이르는 동급 최고의 장치까지 다양한 솔루션을 제공합니다. 이를 통해 고객은 보다 효율적이고 환경 친화적이며 지속 가능한 애플리케이션을 구축할 수 있습니다.