IDW20G65C5XKSA1

Infineon Technologies
726-IDW20G65C5XKSA1
IDW20G65C5XKSA1

제조업체:

설명:
SiC 쇼트키 다이오드 SIC DIODES

데이터시트:
ECAD 모델:
무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기
추가 정보
Infineon Technologies IDW20G65C5XKSA1에 대해 자세히 알아보십시오.

재고 상태: 750

재고:
750 즉시 배송 가능
공장 리드 타임:
13 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.
최소: 1   배수: 1
단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:

가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩10,701.8 ₩10,702
₩7,986.2 ₩79,862
₩6,453.2 ₩645,320
₩5,737.8 ₩2,754,144
₩4,905.6 ₩5,886,720

제품 속성 속성 값 속성 선택
Infineon
제품 카테고리: SiC 쇼트키 다이오드
RoHS:  
Through Hole
TO-247-3
Single
20 A
650 V
1.5 V
103 A
1.1 uA
- 55 C
+ 175 C
XDW20G65
Tube
브랜드: Infineon Technologies
Pd - 전력 발산: 112 W
제품 유형: SiC Schottky Diodes
팩토리 팩 수량: 240
하위 범주: Diodes & Rectifiers
상표명: CoolSiC
Vr - 역 전압: 650 V
부품번호 별칭: IDW20G65C5 SP001632900
단위 중량: 6 g
제품을 찾음:
유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.
이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.
속성 선택됨: 0

이 기능을 활성화하려면 자바스크립트가 필요합니다.

KRHTS:
8541109000
CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
854110090
TARIC:
8541100000
MXHTS:
8541100101
ECCN:
EAR99

전력의 차이 경험

인피니언은 전력 반도체 시장을 주도하고 있는 선도 기업입니다. 20년 이상의 경험과 혁신적인 CoolMOSTM™ 초접합 MOSFET 기술의 혁신 기업으로서, Infineon은 전력 관리 분야를 계속해서 개척하고 있습니다. 고객은 업계에서 가장 광범위한 실리콘 기반 SJ MOSFET 포트폴리오에서 개별 설계/시스템 요구 사항을 기반으로 선택할 수 있습니다. 3가지 주요 전력 기술을 모두 갖춘 소수의 제조 업체 중 하나인 Infineon은 획기적인 WBG(와이드 밴드 갭) 솔루션으로 이러한 분류를 보완합니다. 이 제품은 실리콘 카바이드 기반 CoolSiC™ MOSFET, 정합 다이오드 및 질화 갈륨 기반 CoolGaN™ E-모드 HEMT로 구성됩니다. 탁월한 가격 성능부터 최고의 견고성에 이르는 동급 최고의 장치까지 다양한 솔루션을 제공합니다. 이를 통해 고객은 보다 효율적이고 환경 친화적이며 지속 가능한 애플리케이션을 구축할 수 있습니다.

탄화 규소 CoolSiC™ MOSFET 및 다이오드

Infineon 탄화 규소 CoolSiC™ MOSFET 및 다이오드는 더욱 스마트하고 효율적인 에너지 발전, 전송 및 소비에 대한 요구 사항을 해결하는 포트폴리오를 제공합니다. 가장 높은 품질의 표준을 충족하고 긴 시스템 수명을 제공하며 신뢰성을 보장하는 동시에 중간-고전력 시스템의 감소된 크기와 비용에 대한 요구를 해결합니다. CoolSiC를 사용하면 운영 시스템 비용이 감소되어 가장 엄격한 효율성 목표에 도달할 수 있습니다. 이 포트폴리오는 CoolSiC SCHOTTKY 다이오드, CoolSiC 하이브리드 모듈, CoolSiC MOSFET 모듈 및 이산, 실리콘 카바이드 장치 구동을 위한 EiceDRIVER™ 게이트 드라이버 IC로 구성됩니다.

Switch Mode Power Supplies (SMPS)

Infineon Technologies Switch Mode Power Supplies (SMPS) are a cost-effective line that includes high voltage MOSFETs, control ICs, and Silicon Carbide diodes for PFC and PWM stages, as well as low voltage MOSFETs for synchronous rectification. With these SMPS products Infineon supports the trends towards continuously reducing power consumption. Especially versatile is the new CoolMOS™ 600V C6 family which combines good efficiency with attractive pricing, as does our 3rd generation SiC diodes. For synchronous rectification the OptiMOS™ 3 series offers extremely low on-state resistance and low capacitances. Infineon's new control ICs support topologies such as quasi-resonant flyback and LLC.

Switch Mode Power Supplies - High Power Topology

Infineon Technologies Switch Mode Power Supplies - High Power Topology is suitable for power applications above 400W. Following the front end stage of an AC/DC rectifier, a DC/DC power converter is required to step down the bus voltage and provide a galvanically isolated and tightly regulated DC output (12V, 24V, 48V). While a wide range of isolated topologies are available, the phase-shifted full-bridge converter is more suitable for higher power applications for reasons such as its inherent zero-voltage Switching for the primary side switches.

Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes

Infineon Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes deliver market-leading efficiency at an attractive cost point. Infineon’s proprietary diffusion soldering process, already introduced with Generation 3, is now combined with a new, more compact design as well as the latest advancements in thin wafer technology, bringing improved thermal characteristics and lower Figures of Merit (Qc x Vf).

예기치 못한 오류가 발생했습니다.


질문이 있으십니까? 도움말 센터 를 방문하십시오.
특정 주문에 대해 문의하시려면 계정 에 로그인하십시오.

기타 다른 문제가 발생할 경우 800-346-6873로 연락하거나 help@mouser.com 으로 이메일을 보내 주십시오.