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IDH10G65C5XKSA2

Name: Infineon IDH10G65C5XKSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IDH10G65C5XKSA2
Price: 6263 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

726-IDH10G65C5XKSA2

제조업체 번호:

IDH10G65C5XKSA2

제조업체:

Infineon Technologies

설명:

SiC 쇼트키 다이오드 SIC DIODES

데이터시트:

IDH10G65C5XKSA2 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 325

재고:: 325

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주문 중:: 500

예상 2026-03-02
공장 리드 타임:: 9

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최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩6,263.4	₩6,263
	₩3,212	₩32,120
	₩2,920	₩292,000
	₩2,803.2	₩1,401,600
	₩2,160.8	₩2,160,800
10,000	견적

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Infineon
제품 카테고리:	SiC 쇼트키 다이오드
RoHS:
장착 스타일:	Through Hole
패키지/케이스:	TO-220-2
구성:	Single
If - 순방향 전류:	10 A
Vrrm - 반복 역 전압:	650 V
Vf - 순방향 전압:	1.5 V
If - 순방향 서지 전류:	82 A
Ir - 역 전류:	500 nA
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
시리즈:	XDH10G65
포장:	Tube
브랜드:	Infineon Technologies
Pd - 전력 발산:	89 W
제품 유형:	SiC Schottky Diodes
팩토리 팩 수량:	500
하위 범주:	Diodes & Rectifiers
상표명:	CoolSiC
Vr - 역 전압:	650 V
부품번호 별칭:	IDH10G65C5 SP001632410
단위 중량:	2 g

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

IDH10G65C5XKSA2 데이터시트 (PDF)

Application Notes

Models

Other

Packaging:PG-TO220-2-1 | IDH10G65C5XKSA1 (PDF)

Product Catalogs

SPICE Models

PSpice CoolSiC™ Schottky diode 650V G5 IDHxxG65C5 (Zip)

Technical Resources

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KRHTS:: 8541109000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

탄화 규소 CoolSiC™ MOSFET 및 다이오드

Infineon 탄화 규소 CoolSiC™ MOSFET 및 다이오드는 더욱 스마트하고 효율적인 에너지 발전, 전송 및 소비에 대한 요구 사항을 해결하는 포트폴리오를 제공합니다. 가장 높은 품질의 표준을 충족하고 긴 시스템 수명을 제공하며 신뢰성을 보장하는 동시에 중간-고전력 시스템의 감소된 크기와 비용에 대한 요구를 해결합니다. CoolSiC를 사용하면 운영 시스템 비용이 감소되어 가장 엄격한 효율성 목표에 도달할 수 있습니다. 이 포트폴리오는 CoolSiC SCHOTTKY 다이오드, CoolSiC 하이브리드 모듈, CoolSiC MOSFET 모듈 및 이산, 실리콘 카바이드 장치 구동을 위한 EiceDRIVER™ 게이트 드라이버 IC로 구성됩니다.

전력의 차이 경험

인피니언은 전력 반도체 시장을 주도하고 있는 선도 기업입니다. 20년 이상의 경험과 혁신적인 CoolMOSTM™ 초접합 MOSFET 기술의 혁신 기업으로서, Infineon은 전력 관리 분야를 계속해서 개척하고 있습니다. 고객은 업계에서 가장 광범위한 실리콘 기반 SJ MOSFET 포트폴리오에서 개별 설계/시스템 요구 사항을 기반으로 선택할 수 있습니다. 3가지 주요 전력 기술을 모두 갖춘 소수의 제조 업체 중 하나인 Infineon은 획기적인 WBG(와이드 밴드 갭) 솔루션으로 이러한 분류를 보완합니다. 이 제품은 실리콘 카바이드 기반 CoolSiC™ MOSFET, 정합 다이오드 및 질화 갈륨 기반 CoolGaN™ E-모드 HEMT로 구성됩니다. 탁월한 가격 성능부터 최고의 견고성에 이르는 동급 최고의 장치까지 다양한 솔루션을 제공합니다. 이를 통해 고객은 보다 효율적이고 환경 친화적이며 지속 가능한 애플리케이션을 구축할 수 있습니다.

Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes

Infineon Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes deliver market-leading efficiency at an attractive cost point. Infineon’s proprietary diffusion soldering process, already introduced with Generation 3, is now combined with a new, more compact design as well as the latest advancements in thin wafer technology, bringing improved thermal characteristics and lower Figures of Merit (Q_c x V_f).